STMicroelectronics

MOSFET de potencia

STMicroelectronics ofrece sus MOSFET de potencia para el rango de voltaje de soporte de aplicaciones.

Imagen de los MOSFET de potencia de STMicroelectronicsLa cartera de MOSFET de potencia de STMicroelectronics ofrece una amplia gama de tensiones de ruptura de -500 V a 1500 V, con carga baja de la puerta y baja resistencia en estado encendido, combinada con el empaquetado de vanguardia. La tecnología de proceso de ST para MOSFET de alta tensión (MDmesh™) y baja tensión (StripFET™) ha mejorado la capacidad de manejo de potencia, resultando en soluciones de alta eficiencia.

Las principales características de su amplia gama incluyen lo siguiente:
  • Rango de voltaje de ruptura de -500 V a 1500 V
  • Más de 30 opciones de paquete incluyendo los TO247-4 de 4 conductores con un pin de control dedicado para una mayor eficiencia de conmutación, con H2PAK para capacidad de alta corriente y 5 x 6 HV y VHV PowerFLAT™ con montaje en superficie de 1 mm que ofrece excelente rendimiento térmico gracias a una almohadilla grande metálica expuesta para drenaje.
  • Carga de compuerta mejorada y disipación de potencia más baja para cumplir con los requisitos de eficiencia desafiantes.
  • Opción de diodo cuerpo intrínseca y rápida para líneas de productos selectos
  • Amplio portafolio de MOSFET de grado automotriz
 Imagen de gráfico de MOSFET de potencia de STMicroelectronics

En cada rango de voltaje, para el soporte de aplicaciones como fuentes de alimentación de modo de conmutación, iluminación, convertidores CC-CC, control de motores y aplicaciones automotrices, ST tiene el MOSFET adecuado para el diseño del usuario.

Ver todos los MOSFET de potencia de STMicroelectronics

Publicado: 2016-12-30

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