MOSFET de 600 V a 650 V de la familia MDmesh™ M9

Los MOSFET de STMicroelectronics permiten aumentar los niveles de potencia y la densidad de potencia para obtener soluciones más compactas.

Imagen de los MOSFET de 600 V a 650 V de la familia MDmesh™ M9 de STMicroelectronicsLa tecnología M9 basada en silicio de STMicroelectronics se beneficia de un proceso de fabricación multidrenaje que permite mejorar la estructura de los dispositivos. El producto resultante tiene una de las resistencias en estado encendido y los valores de carga de puerta más bajos entre todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia extraordinaria.

Características
  • El mejor coeficiente de calidad (RDS(ON) x Qg) actualmente en el mercado.
  • Actualmente el mejor RDS(ON ) del sector para un rango de voltaje de 650 V.
  • El Qg más bajo.
  • Mayor resistencia dv/dt del diodo inverso y dv/dt del MOSFET.
Beneficios
  • Mayores niveles de potencia
  • Mayor densidad de potencia y menores pérdidas por conducción
  • Alta eficiencia y bajas pérdidas de potencia de conmutación
  • Alta velocidad de conmutación
  • Mayor robustez y fiabilidad para diseños más compactos

MDmesh™ M9 Family 600 V to 650 V MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
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Actualizado: 2026-01-20
Publicado: 2023-03-09