STMicroelectronics

MOSFET de potencia de bajo voltaje serie H7 STripFET™

STMicroelectronics ofrece su serie H7 STripFET H7 de MOSFET de bajo voltaje de potencia con muy baja resistencia y bajas capacitancias

Imagen de los MOSFET de potencia serie H7 STripFET™ de bajo voltaje (30V) de STMicroelectronicsOptimizada para sistemas de gestión de energía de alta densidad y alto rendimiento, la serie H7 STripFET de STMicroelectronics de MOSFET de bajo voltaje (30 V) y compuerta Trench combina una resistencia de encendido extremadamente baja y capacitancias ultrabajas con un diodo de Schottky optimizado, incorporado para mayor funcionamiento de frecuencia de conmutación en aplicaciones tales como telecomunicaciones, placas madre e inversores solares. La serie 1h7 STripFET cuenta con menor resistencia en estado de encendido por área de chip que las series anteriores H5 y H6, lo cual simplifica las necesidades de los diseñadores para diseños de alta potencia, reduciendo el número de dispositivos en paralelo.

Características

  • Muy baja resistencia en estado de encendido
  • Qg muy bajo
  • Solidez alta ante avalancha
Publicado: 2015-06-26

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