MOSFET de SiC en encapsulado TO-Leadless (TOLL)

Los MOSFET de SiC ROHM TOLL ofrecen una excelente disipación del calor y una gran capacidad de corriente en un formato compacto.

Imagen del MOSFET de SiC de ROHM Semiconductor en un encapsulado TO-Leadless (TOLL)ROHM presenta los MOSFET SiC en un paquete TOLL compacto que ofrecen un rendimiento superior en aplicaciones de alta potencia. En comparación con los encapsulados TO-263 convencionales, el factor de forma TOLL reduce el espacio ocupado en aproximadamente 26%, a la vez que permite una excelente disipación del calor y una gran capacidad de corriente. Su baja resistencia de puerta minimiza las pérdidas de conmutación, reduciendo el consumo total de energía y aumentando la eficiencia. Con un diseño de perfil bajo ideal para las modernas fuentes de alimentación delgadas, estos dispositivos están optimizados para aplicaciones exigentes como fuentes de alimentación de servidores, inversores fotovoltaicos y otras soluciones de alimentación industrial de última generación.

Características
  • Baja resistencia en estado encendido
  • Velocidad de conmutación rápida
  • Recuperación reversa rápida
  • Fácil de conectar en paralelo
  • Simple de manipular
  • Revestimiento del conductor libre de plomo, conforme a RoHS
  • MSL 1 (nivel de sensibilidad a la humedad)
Aplicaciones
  • Equipos industriales: inversores solares y fuentes de alimentación para servidores y centros de datos
  • Equipos de consumo: fuentes de alimentación de uso general

SiC MOSFETs in a TO-Leadless (TOLL) Package

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
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Publicado: 2025-11-14