MOSFET de canal N RY7P250BM

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Productos destacados > MOSFET de canal N RY7P250BM

            MOSFET de canal N RY7P250BM
                    El MOSFET de potencia de ROHM Semiconductor es ideal para aplicaciones de controlador de intercambio en caliente gracias a su robusto diseño.
    

Imagen de FET de canal N RY7P250BM de ROHM Semiconductor El RY7P250BM de ROHM Semiconductor es un MOSFET de potencia de canal N diseñado con baja resistencia a la conexión y alojado en un encapsulado DFN8080-8S de alta potencia. Este componente es ideal para aplicaciones exigentes, especialmente en controladores de intercambio en caliente (HSC), gracias a su diseño robusto y su amplia área de funcionamiento seguro (SOA).

Características

Baja resistencia en estado encendido
Encapsulado de alta potencia (DFN8080)
Sin plomo y conforme a RoHS
Sin halógenos
Cumplimiento al 100% de las pruebas R_G y UIS
Amplia SOA

Aplicaciones

Sistemas de servidores AI de 48 V y circuitos de intercambio en caliente de fuentes de alimentación en centros de datos
Sistemas de alimentación de equipos industriales de 48 V (carretillas elevadoras, herramientas eléctricas, robots y motores de ventiladores)

Equipos industriales alimentados por baterías, como los AGV (vehículos de guiado automático)
SAI y sistemas de alimentación de emergencia (unidades de batería de reserva)

Actualizado: 2025-07-09