IGBT híbridos de la serie RGWxx65C con diodo de SiC incorporado

La serie RGWxx65C utiliza los diodos de barrera schottky de SiC, de baja pérdida de ROHM en el bloque de retroalimentación de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) como diodo de libre circulación que casi no tiene energía de recuperación y, por lo tanto, la pérdida de conmutación del diodo es mínima. Además, dado que la corriente de recuperación no tiene que ser manejada por el IGBT en el modo de encendido, la pérdida de encendido del IGBT se reduce significativamente con respecto a los diodos de recuperación rápida (FRD) de silicio utilizados en los IGBT convencionales. Ambos efectos se traducen en una pérdida hasta un 67 % inferior a la de los IGBT convencionales y un 24 % inferior a la de los MOSFET de super unión (MOSFET SJ) cuando se utilizan en cargadores de vehículos. Este efecto proporciona un buen rendimiento de costos, al mismo tiempo que contribuye a un menor consumo de energía en aplicaciones industriales y automotrices.

Características

Reduce las pérdidas en un 67 % frente a los IGBT convencionales, lo que proporciona un rendimiento óptimo en cuanto a costos para las populares unidades de control eléctrico automotriz y equipos industriales.