Soluciones de IGBT de alto rendimiento RGA80TxX2EHRC

Los RGA80TRX2EHRC15, RGA80TRX2HRC15, RGA80TSX2EHRC11 y RGA80TSX2HRC11 de ROHM Semiconductor son transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alto rendimiento. Estos IGBT están diseñados para ofrecer una eficiencia y fiabilidad superiores en aplicaciones industriales y automotrices exigentes. Con una capacidad de 1,200 V nominal y 69 A de capacidad de corriente, estos IGBT incorporan la tecnología de trinchera de parada de campo, que garantiza bajas pérdidas por conmutación y conducción. El diodo de recuperación rápida (FRD) incorporado mejora el rendimiento al reducir el tiempo de recuperación, lo que hace que estos IGBT sean ideales para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Con una tolerancia al cortocircuito de 10 μs y el cumplimiento de las normas AEC-Q101, estos transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) ofrecen un sólido rendimiento y durabilidad. Su diseño compacto en formato TO-247 facilita la integración en diversos sistemas, lo que garantiza una gestión térmica y una eficiencia de espacio óptimas.