CI de etapa de potencia EcoGaN™

El CI de etapa de potencia de ROHM incorpora un HEMT de GaN de 650 V y un controlador de compuerta. Estos dispositivos son ideales para fuentes de alimentación primarias dentro de aplicaciones industriales y de consumo, como servidores de datos y adaptadores de CA. Los sectores industrial y de consumo exigen un mayor ahorro energético para lograr una sociedad sostenible. Sin embargo, aunque se espera que los HEMT de GaN contribuyan significativamente a una mayor miniaturización y a la mejora de la eficiencia de conversión de potencia, la dificultad de manejo de la puerta en comparación con los MOSFET de silicio exige el uso de un controlador de puerta específico. En respuesta, ROHM ha desarrollado CI de etapa de potencia que integran HEMT de GaN y controladores de compuerta en un único paquete aprovechando las tecnologías analógicas y de potencia del núcleo, lo que facilita considerablemente el montaje.