MOSFET SJ de canal N de 650 V

Los MOSFET de canal N de 650 V de PANJIT están optimizados para un soporte de diseño fácil y eficiente para el diseño de circuitos de conversión de energía en dispositivos como convertidores de CA/CC y CC/CC. Los MOSFET SJ de PANJIT requieren un menor esfuerzo de diseño por parte de los ingenieros de diseño de sistemas gracias a un rendimiento de conmutación adecuado y una baja R_DS(ON), lo que se traduce en un menor tamaño del sistema con una baja disipación de calor.

Los MOSFET SJ de PANJIT proporcionan un excelente rendimiento de la robustez dv/dt de los diodos del cuerpo. La gran robustez de este diodo de cuerpo puede hacer que los sistemas que utilizan diodos de cuerpo sean más confiables como parte de la operación de todo el sistema, como los convertidores LLC y de puente completo por desplazamiento de fase (PSFB). Está optimizado para Q_rr/T_rr de alto rendimiento y rápida recuperación con conmutación de alta velocidad y baja R_DS(ON) de 60 mΩ a 180 mΩ. Disponibles en varios paquetes, incluidos TO-252AA, ITO-220AB-F, TO-220AB-L, TO-247AD-3LD y TOLLK, son ideales para aplicaciones de alimentación de servidores, telecomunicaciones e industriales. Estos productos son compuestos de moldeo ecológicos que cumplen con la norma IEC 61249 y la directiva RoHS 2.0 de la UE.