Panasonic

MOSFET CSP de potencia

Tecnología de silicio de celdas de trinchera fina de 110 nm de Panasonic

Imagen de MOSFET CSP de potencia de PanasonicPanasonic, líder mundial en semiconductores, anunció el lanzamiento de las series FJ3P02100L y FK3P02110L de MOSFET CSP de potencia.
 Las series de MOSFET CSP de potencia incluyen PMCP (embalaje CSP de montaje de potencia) que está conformado por un diseño de almohadilla única y tecnología de clip de drenaje. Esto permite una mejora del 5% en disipación térmica y una reducción simultánea del tamaño en un 80% en comparación con soluciones convencionales. Los avances tecnológicos de Panasonic en celdas y fabricación de obleas más delgadas han permitido un silicio con una celda de trinchera fina de 110 nm que ofrece un RDS(on) 47% más bajo en comparación con chips convencionales del mismo tamaño. Mediante el uso de esta tecnología, esta serie de MOSFET alcanza una mayor eficiencia de energía reduciendo el consumo de energía.

Características
  • El embalaje CSP de montaje de potencia (PMCP) permite una mejor disipación térmica en un 5% reduciendo el tamaño en un 80% en comparación con las soluciones convencionales.
  • Calificado según AEC-Q101
  • La tecnología de silicio de trinchera fina proporciona un RDS(on) 47% más bajo en comparación con un chip convencional del mismo tamaño alcanzando eficiencia de potencia y reduciendo, a su vez, el consumo de energía del sistema.
  • Tamaño: FJ3P02100L: 2.0 x 2.0 x 0.33 mm, FK3P02110L: 1.8 x 1.6 x 0.33 mm
  • RDS(on): FJ3P02100L: 9.5 mΩ a VGS=4.5 V (typ.), FK3P02110L: 12.5 mΩ a VGS=2.5 V (typ.)
  • Sin halógeno y cumple con RoHS, con golpes de soldadura sin plomo


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Publicado: 2013-07-02