Inversor solar

En aplicaciones de alta potencia, los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) siguen siendo la opción preferida porque ofrecen un rendimiento excepcional cuando se trata de corrientes y voltajes elevados. El principal inconveniente de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) es su menor velocidad de conmutación, que no es tan importante para el inversor solar. onsemi ofrece tanto transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) discretos como soluciones de módulos más integrados. Field Stop7 es la nueva familia de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de 1200 V, optimizada para tener bajas pérdidas de conducción.

Los dispositivos de carburo de silicio son más útiles para voltajes más altos en comparación con los MOSFET de silicio tradicionales, ya que reducen las pérdidas de conducción. Las soluciones de inversores SiC tienen menos pérdidas que las soluciones IGBT. Los MOSFET de SiC pueden conmutar más rápido, lo que ayuda a reducir el tamaño de los dispositivos pasivos, sobre todo los inductores. Por otro lado, el Sistema en chip (SiC) completo requiere un diseño de sistema completamente nuevo, lo que aumenta aún más los costos. La nueva familia de MOSFET de SiC de 1200 V (M3S) está optimizada para el funcionamiento a alta temperatura y cuenta con una R_DS(ON) muy baja, de tan solo 22 mΩ, cuando se acciona con 18 V.

La empresa onsemi ofrece módulos IGBT o SiC con diversas topologías, incluido medio puente, o incluso A-NPC de tres niveles completos en un solo paquete. La utilización de módulos de potencia aporta muchas ventajas, como la mejora de las propiedades térmicas, la reducción del tamaño del sistema y una comercialización más rápida. Estos módulos pueden utilizarse con potencias de decenas a cientos de kilovatios.