Controlador de compuerta de medio puente de alto rendimiento NCP51820, de 650 V para interruptores de potencia de GaN

El controlador NCP51820 de onsemi ofrece funciones de protección como apagado térmico independiente de UVLO y CI

El controlador de compuerta de alta velocidad NCP51820 de Imagen del controlador de compuerta de medio puente de alto rendimiento NCP51820, de 650 V de onsemi para interruptores de potencia de GaNonsemi está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos del modo de mejora de conducción (modo e) y los interruptores de alimentación de GaN HEMT del transistor de inyección de compuerta (GIT) en topologías de alimentación fuera de línea de medio puente. El NCP51820 ofrece retrasos de propagación cortos y coincidentes, así como también un rango de voltaje de modo común de -3.5 V a +650 V (típico) para el accionamiento del lado alto. Para proteger completamente la compuerta del transistor de potencia de GaN contra el estrés de tensión excesivo, ambas etapas del accionamiento emplean un regulador de voltaje dedicado para mantener con precisión la amplitud de la señal del controlador de la fuente de la compuerta. El NCP51820 ofrece funciones de protección importantes, como el bloqueo por subtensión independiente (UVLO) y el apagado térmico del CI.

Recursos

Características
  • Controlador de compuerta de lado alto y lado bajo de 650 V
  • Retraso rápido de propagación de 50 ns máx.
  • Demora de propagación coincidente de 5 ns máx.
  • Clasificación de 200 V/ns dv/dt para todos los circuitos con referencia SW y PGND
  • Fuente separada y pin de salida del disipador
  • Controlador de compuerta de 5.2 V regulado con UVLO independiente para etapas de salida de lado alto y lado bajo
  • Embalaje de 15 pines, QFN de 4 mm x 4 mm y pinout optimizado
  • Margen de diseño para diseño de CA/CC
  • Adecuado para operaciones de alta frecuencia
  • Mayor eficiencia y paralelismo
  • Diseño robusto para aplicaciones de alta frecuencia de conmutación
  • Permita el control del tiempo de subida y bajada para el ajuste de EMI
  • Conducción óptima de interruptores de potencia de GaN y diseño simplificado
  • Pequeño espacio en la placa de CI, inductancia parásita reducida, adecuado para operaciones de alta frecuencia
Aplicaciones
  • Convertidores resonantes
  • Convertidores de medio puente y puente completo
  • Convertidores de retorno de abrazadera activa
  • PFC sin puente con polo tótem
  • Fuente de alimentación para televisores OLED
  • Adaptadores de juegos de alta potencia
  • Adaptadores de viaje USD PD para teléfonos móviles y portátiles
  • Energía fuera de línea del servidor/centro de datos en la nube
  • Inversores industriales y motores

NCP51820 High-Performance 650 V Half-Bridge Gate Driver for GaN Power Switches

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Publicado: 2020-05-04