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IGBT discreto rápido FGY140T120SWD
Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) rápidos de 1200 V, 140 A y parada en campo VII (FS7) de onsemi en un encapsulado TO247-3L son ideales para aplicaciones solares, SAI y ESS.
Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de 7.ª generación FGY140T120SWD de onsemi están optimizados para un desperdicio mínimo de energía, lo que alimenta sistemas con una eficiencia sin precedentes. El diodo Gen7 garantiza transiciones suaves y un control nítido. Este potente dispositivo se presenta en un elegante formato TP247-3L, que lo hace versátil para diversas aplicaciones.
La FGY140T120SWD captura la generosidad del sol con pérdidas mínimas, lo que maximiza la producción de energía limpia y minimiza la huella de carbono. Alimenta una UPS durante los cortes con un flujo de energía constante y fiable. Los sistemas de almacenamiento de energía (ESS) almacenan energía de forma segura minimizando los residuos y maximizando la vida útil.
- Baja pérdida de conmutación
- Temperatura de unión máxima: (TJ) = +175 °C
- Coeficiente de temperatura positivo
- Conmutación suave y optimizada
- Cumplen con la directiva RoHS
- UPS
- ESS
- Elevador e inversor en sistemas solares
FGY140T120SWD Fast Discrete IGBT
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | FGY140T120SWD | IGBT FS 1200V 280A TO-247-3 | 95 - Inmediata 38250 - Stock en fábrica | $11.97 | Ver detalles |
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