EliteSiC de onsemi

Desarrolló una cadena de suministro interna para garantizar el suministro al cliente de dispositivos SiC para apoyar el rápido crecimiento del ecosistema sostenible.

EliteSiC de onsemi responde a las necesidades de aplicaciones exigentes como inversores solares, cargadores de vehículos eléctricos y sistemas de alimentación ininterrumpida. Los dispositivos son una completa cartera de diodos, MOSFET, módulos y controladores de compuerta de carburo de silicio (SiC) eficientes desde el punto de vista energético.

Características

  • Calidad probada/diseño planar robusto
    • Control durante el proceso y rodaje
    • Exploración de defectos durante la fabricación
    • Pruebas de validación del 100% de todos los chips
    • Sin desviación del umbral ni de los parámetros
    • Óxido de puerta de alta fiabilidad
    • Calificación AEC-Q100 de grado automotriz
  • Las mejores herramientas de diseño
    • Modelos de simulación precisos, físicos y escalables
    • Notas de aplicación y guías de diseño
  • Fabricación totalmente integrada
    • De polvo a productos
  • Grado automotriz o industrial para todos los valores y paquetes
  • Oferta de Sistema en chip (SiC) de 3ª generación
    • Optimizado para la dependencia de altas temperaturas
      • Diodos, baja resistencia en serie en función de la temperatura
      • MOSFET, recuperación inversa estable en función de la temperatura
    • Capacidades parásitas mejoradas para aplicaciones de alta frecuencia y alto rendimiento
    • Molde grande con bajo RDS(on) disponible
  • Amplia oferta de módulos integrados de alimentación (PIM) estándar y personalizados
  • Amplia gama de voltajes y RDS(on) disponibles en paquetes de 3 y 4 terminales

Recursos adicionales:

Seminario web sobre el Sistema en chip (SiC) con Hunter Freberg

Diodos

Estos productos utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una alta fiabilidad al silicio.

MOSFET

Estos productos están diseñados para ser rápidos y resistentes e incluyen ventajas del sistema que van desde la alta eficiencia hasta la reducción del tamaño y el costo del sistema.

IGBT

Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que ofrecen la máxima fiabilidad en aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.

Diodos

Estos productos utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una alta fiabilidad al silicio.

D1

Características:

  • Tensiones de 650 V, 1200 V y 1700 V
  • Paquetes D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, TO-247-3
  • Chip de gran tamaño y baja resistencia térmica (Rth)
  • Optimizado para una alta corriente directa no repetitiva (IFSM)
  • Aplicaciones de las etapas de entrada del rectificador de Viena

D2

Características

  • Voltaje: 650 V
  • Paquetes DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, TO-247-3
  • Baja carga capacitiva (QC)
  • Optimizado para conmutación de alta velocidad con un voltaje directo bajo
  • Aplicaciones de PFC y rectificación de salida

D3

Características:

  • Voltaje de 1200 V
  • Paquetes TO-247-2LD, TO-247-3LD
  • Baja carga capacitiva (QC) y voltaje directo (VF)
  • Optimizado para funcionar a altas temperaturas con baja dependencia de la temperatura de resistencia de la serie
  • PFC y aplicaciones de rectificación de salida de mayor potencia

MOSFET

Estos productos están diseñados para ser rápidos y resistentes e incluyen ventajas del sistema que van desde la alta eficiencia hasta la reducción del tamaño y el costo del sistema.

M1

Características:

  • Voltajes de 1200 V y 1700 V
  • D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, encapsulados con matriz sin revestir
  • +22 V/-10 V de tensión máxima entre la compuerta y la fuente
  • Bajo RDS(on) y alto tiempo de resistencia al cortocircuito (SCWT)
  • Equilibrio entre pérdidas por conmutación y pérdidas por conducción
  • Puede utilizarse para sustituir IGBT de 1200 V

M2

Características:

  • Voltajes de 650 V, 750 V y 1200 V
  • Paquetes D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, TO-247-4LD
  • +22 V/-8 V de tensión máxima entre la compuerta y la fuente
  • Bajo RDS(on) y alto tiempo de resistencia al cortocircuito (SCWT)
  • Optimizados para el RDS(on) más bajo para aplicaciones de baja velocidad de conmutación
  • Pueden utilizarse para sustituir al SuperFET™.

M3S

Características:

  • Optimizados para aplicaciones de alta frecuencia de conmutación con topologías de conmutación dura
  • ~40% menos de pérdidas totales de conmutación (Etot) en comparación con 1200 V 20 mΩ M1
  • Aplicaciones solares, cargadores de a bordo y estaciones de recarga de vehículos eléctricos
  • Alta capacidad contra cortocircuitos

M3P

Características:

  • Voltaje de 1200 V
  • Paquetes D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD
  • +22 V/-10 V de tensión máxima entre la compuerta y la fuente
  • Mejora de las capacitancias parásitas (Coss, Ciss, Crss)
  • Optimizados para funcionamiento a alta temperatura con recuperación inversa estable con la temperatura (1200 V 22 mΩ M3S ~46% menor Qrr frente a 1200 V 20 mΩ).
  • Pueden utilizarse para sustituir transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de 1200 V

IGBT

Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que ofrecen la máxima fiabilidad en aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.

FS4

Características:

  • TJ = 175°C de temperatura máxima de unión
  • Coeficiente de temperatura positiva para un fácil funcionamiento en paralelo
  • Capacidad de corriente alta
  • V CE (Sat) = 1,6 V (típ.) @ CI = hasta 75 A voltaje bajo de saturación
  • 100% de piezas probadas para ILM
  • Conmutación rápida
  • Distribución estricta de parámetros
  • Sin recuperación inversa/sin recuperación directa
  • Con calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP