Cargadores de CC para vehículos eléctricos

La carga rápida de CC para vehículos eléctricos de onsemi responde al crecimiento del mercado de los vehículos eléctricos, impulsando avances en múltiples sectores, especialmente en el desarrollo de cargadores para vehículos eléctricos. Para seguir el ritmo de la creciente demanda de vehículos eléctricos es necesario crear infraestructuras de recarga eficientes que minimicen el impacto ambiental. Los avances en componentes, configuraciones y controladores de potencia facilitan el establecimiento de estaciones de recarga de alta potencia, abordando las preocupaciones sobre la ansiedad de autonomía y las emisiones. Gracias a la tecnología SiC y a innovadores métodos de embalaje, onsemi agiliza el proceso de diseño de cargadores de vehículos eléctricos. La gama de soluciones analógicas y de alimentación de onsemi proporciona componentes de la máxima calidad adaptados a necesidades específicas, basándose en una amplia experiencia para ofrecer soluciones integrales para el mercado de los vehículos eléctricos en constante evolución.

Ilustración de una estación de recarga de VE con un vehículo de carga

Diagrama de bloques del cargador de CC para VE

Habilitación de la futura DCFC con los módulos de alimentación EliteSiC de onsemi

Futura DCFC con módulos de alimentación EliteSiC

Capacidad de fabricación integral de Sistemas en chip (SiC) y soluciones de la familia EliteSiC

Capacidad de fabricación integral de Sistemas en chip (SiC)

Cargador monofásico de CC para VE (Wallbox de CC)
Cargador trifásico de CC para VE
Piezas relacionadas

Cargador monofásico de CC para VE (Wallbox de CC)

Productos destacados

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N

NTBG015N065SC1

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SIC) - 3

NTHL045N065SC1

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SIC) - 3

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N

NTH4L015N065SC1

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SIC) - 3

NTMT045N065SC1

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SIC) - 3

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SIC) - E

NTHL075N065SC1

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SIC) - E

DIODO SIL CARB 650V 9.1A DPAK

FFSD0665B

DIODO SIL CARB 650V 9.1A DPAK

DIODO SIL CARB 650V 8A TO220-2

FFSP0665B

DIODO SIL CARB 650V 8A TO220-2

DIODO SIL CARB 650V 8A D2PAK-2

FFSB0665B

DIODO SIL CARB 650V 8A D2PAK-2

DIODO SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN

FFSM0865B

DIODO SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN

DIODO SIL CARB 650V 27A D2PAK-2

FFSB1065B

DIODO SIL CARB 650V 27A D2PAK-2

IGBT EN TRINCHERA FS 650V 80A TO3PF-3

FGAF40S65AQ

IGBT EN TRINCHERA FS 650V 80A TO3PF-3

IGBT EN TRINCHERA FS 650V 80A TO247-3

FGHL50T65LQDT

IGBT EN TRINCHERA FS 650V 80A TO247-3

IGBT EN TRINCHERA FS 650V 80A TO247-4L

FGH4L50T65SQD

IGBT EN TRINCHERA FS 650V 80A TO247-4L

PARADA DE CAMPO IGBT de 650V 100A TO247

FGH4L50T65MQDC50

PARADA DE CAMPO IGBT de 650V 100A TO247

Cargador trifásico de CC para VE

Productos destacados

IGBT módulo controlador de potencia

FSB50825AS

Módulo de alimentación inteligente - SPM5, 250 V, 3.6 A, 0.33 Ω

IGBT módulo controlador de potencia

NFA50460R4B

Módulo de alimentación inteligente, 600 V, 4 A, DIP

MOSFET de carburo de silicio (SiC)

NTH4L028N170M1

MOSFET de carburo de silicio (SiC) EliteSiC, 28 mΩ, 1700 V, M1, TO247-4L

MOSFET SIC de 1200 V 14 MOHM M3P SE

NTH4L014N120M3P

MOSFET de carburo de silicio (SiC) EliteSiC, 14 mΩ, 1200 V, M3P, TO247-4L

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SIC) ELI

NTHL022N120M3S

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 22 mΩ, 1200 V, M3S, TO-247-3L

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SIC)

NTH4L040N120M3S

MOSFET de carburo de silicio (SiC) EliteSiC, 40 mΩ, 1200 V, M3S, TO247-4L

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SIC) - E

NTBG070N120M3S

MOSFET de carburo de silicio (SiC) EliteSiC, 65 mΩ, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

SICFET

NTBG020N090SC1

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 20 mΩ, 900 V, M2, D2PAK-7L

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N

NTBG015N065SC1

MOSFET de carburo de silicio (SiC) EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2, D2PAK-7L

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SIC) - 3

NTHL045N065SC1

MOSFET de carburo de silicio (SiC) EliteSiC, 33 mΩ, 650 V, M2, TOLL

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N

NTH4L015N065SC1

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2, TO-247-4L

MOSFET DE CARBURO DE SILICIO (SIC)

NTHL075N065SC1

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 57 mΩ, 650 V, M2, TO-247-3L

DIODE SIL CARB

NDSH25170A

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 35 A, 1700 V, D1, TO-247-2L

DIODO SIL CARB

FFSH10120A

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, TO-247-2L

DIODO SCHOTTKY

FFSB20120A

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, D2PAK-2L

DIODO ARR SIC

FFSH30120ADN-F155

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC)-EliteSiC, 30 A, 1200 V, D1, TO-247-3L

Matriz de diodos

FFSH40120ADN

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC)-EliteSiC, 40 A, 1200 V, D1, TO-247-3L

DIODO SIL CARB

NDSH50120C

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

DIODO SIL CARB

FFSD0665B

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, DPAK

DIODO SIL CARB

FFSP0665B

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, TO-220-2L

DIODO SIL CARB

FFSB0665B

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, D2PAK-2L

DIODO SIL CARB

FFSB1065B

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 10 A, 650 V, D2, D2PAK-2L

TRANSISTORES BIPOLARES DE PUERTA AISLADA (IGBT)

FGHL40T120RWD

IGBT de 1200 V 40 A FS7, Bajo Vce(sat), TO-247-3L

TRANSISTORES BIPOLARES DE PUERTA AISLADA (IGBT)

FGHL60T120RWD

IGBT de 1200 V 60 A FS7, Bajo Vce(sat), TO-247-3L

TRANSISTORES BIPOLARES DE PUERTA AISLADA (IGBT)

FGHL40T120SWD

IGBT de 1200 V 60 A FS7, conmutación rápida, TO-247-3L

TRANSISTORES BIPOLARES DE PUERTA AISLADA (IGBT)

FGY75T120SWD

IGBT de 1200 V 75 A FS7, conmutación rápida, TO-247-3L

TRANSISTORES BIPOLARES DE PUERTA AISLADA (IGBT)

FGY140T120SWD

IGBT de 1200 V 140 A FS7, conmutación rápida, TO-247-3L

IGBT EN TRINCHERA

FGHL50T65LQDT

IGBT de bajo Vce(sat) 650 V 50 A FS4 con diodo copack de capacidad nominal completa, TO-247-4

IGBT TRENCH FS

FGHL50T65LQDTL4

IGBT de bajo Vce(sat) 650 V 50 A FS4 con diodo copack de capacidad nominal completa, TO-247-4

IGBT TRENCH FS

FGH4L50T65SQD

IGBT de 650 V 50 A FS4 alta velocidad con diodo copack, TO-247-4L

PARADA DE CAMPO IGBT

FGH4L50T65MQDC50

IGBT de 650 V 50 A FS4 alta velocidad con diodo SiC, TO-247-4L

Piezas relacionadas

Productos destacados

MÓDULOS SIC MEDIO PUENTE

NXH006P120MNF2

Sistema en chip (SiC), EliteSiC, medio puente, 1200 V, 6 mΩ, M1

MOSFET SIC

NXH010P120MNF1

PIM de SiC completo, EliteSiC, medio puente, 1200 V, 10 mΩ, M1

ELITESIC

NXH004P120M3F2

PIM de SiC completo, EliteSiC, medio puente, 1200 V, 4 mΩ, M3S

ELITESIC

NXH003P120M3F2

PIM de SiC completo, EliteSiC, medio puente, 1200 V, 3 mΩ, M3S

SIC

NXH020U90MNF2

SiC PIM completo, EliteSiC, Viena, 900 V 1 mΩ MOSFET SiC,1200 V Diodo SiC

NXH008T120M3F2PTHG

PIM de SiC completo, EliteSiC, E-NPC, 1200 V 8 mΩ MOSFET de SiC, M3S

Matriz MOSFET

NXH020U90MNF2PTG

IGBT PIM, T-NPC, 1200 V, 160 A IGBT, 650 V, 100 A IGBT, Q1

Módulo IGBT en trinchera Parada de campo

NXH160T120L2Q1

IGBT PIM, T-NPC, 1200 V, 160 A IGBT, 650 V, 100 A IGBT, Q2

MÓDULO DE ALIMENTACIÓN PIM

NXH160T120L2Q2F2S1

Sistema en chip (SiC), EliteSiC, medio puente, 1200 V, 6 mΩ, M1

MÓDULOS SIC MEDIO PUENTE

NXH006P120MNF2

PIM de SiC completo, EliteSiC, medio puente, 1200 V, 10 mΩ, M1

Matriz MOSFET

NXH004P120M3F2

Sistema en chip (SiC), EliteSiC, medio puente, 1200 V, 3 mΩ, M3S

ELITESIC

NXH003P120M3F2

PIM de SiC completo, EliteSiC, puente completo, 1200 V, 20 mΩ, M1

Matriz MOSFET

NXH020F120MNF1PG

Sistema en chip (SiC), EliteSiC, puente completo, 1200 V, 40 mΩ, M1

Matriz MOSFET

NXH040F120MNF1

Sistema en chip (SiC), EliteSiC, puente completo, 1200 V, 40 mΩ, M1

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