Transistor de 750 W CW MRF13750H

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            Transistor de 750 W CW MRF13750H
  
                    El transistor LDMOS de potencia RF MRF13750H de NXP Semiconductor está diseñado para aplicaciones industriales, científicas y médicas (ISM) en la gama de frecuencia de 700 MHz a 1300 MHz.

Imagen de transistor CW de potencia 750 W MRF13750H de NXP Semiconductor NXP Semiconductor presenta el transistor MRF13750H que entrega 750 W CW para aplicaciones de 915 MHz. Este dispositivo puede ser utilizado para aplicaciones de ondas continua y viene con protección ESD integrada. Es ideal para aplicaciones lineales con polarización apropiada y entrada emparejada para facilidad de uso. Este dispositivo puede utilizarse para reemplazar tubos de alta potencia de magnetrón ofreciendo mayor confiabilidad y control. El transistor de potencia MRF13750H ofrece control exacto de la energía sobre la gama completa de 700 MHz a 1300 MHz.

Características

Aplicaciones

Entrada internamente emparejada para facilidad de uso
Puede utilizarse solo o en una configuración en contrafase
Adecuado para aplicaciones lineales con polarización apropiada
Protección contra ESD integrada
Incluido en el programa de longevidad producto de NXP que asegura el abastecimiento para un mínimo de 15 años
19,5 dB de ganancia