MOSFET de 40 V Trench 9

MOSFET de superunión de Nexperia en paquetes LFPAK56/56E capaces de reducir RDS (encendido) en hasta un 30%

Imagen de MOSFET de 40 V Trench 9 de NexperiaNexperia presenta los MOSFET de potencia Trench 9, dirigidos principalmente a la industria automotriz, capaces de combinar la tecnología de superunión de baja tensión de la empresa con su capacidad de empaquetado avanzada para ofrecer alto rendimiento y robustez. Nexperia está ampliando su cartera de MOSFET de Power-SO8 con calificación automotriz para incluir piezas de ultrabaja RRDS (ON) que abordan la creciente demanda de mayor densidad de energía en muchas aplicaciones automotrices típicas. Los dispositivos Trench 9 están todos calificados para AEC-Q101 y superan los requisitos de esta norma automotriz internacional por tanto como dos veces en las pruebas de fiabilidad clave incluyendo ciclos de temperatura, polarización de puerta de alta temperatura, polarización inversa de alta temperatura inversa, y vida de funcionamiento intermitente.

FPAK56E es la última innovación en la familia de paquetes automotrices LFPAK de Nexperia. LFPAK56E es una versión mejorada del popular paquete LFPAK56 con un diseño de marco y paquete de plomo optimizado que resulta en una mejora de RRDS (ON) y densidad de energía de hasta un 30%. Esta mejora en la densidad de energía permite utilizar los MOSFET LFPAK56 Trench 9 en aplicaciones anteriormente sólo es posibles con D2PAK y D2PAK-7, lo cual ofrece significante ahorro de espacio en la placa de CI.

La tecnología de superunión de Nexperia ofrece avalancha mejorada y capacidad operativa segura de área (SOA) en comparación con la tecnología de la competencia lo cual garantiza la supervivencia de los dispositivos críticos incluso en condiciones de falla. Tradicionalmente, la mayoría de los proveedores no recomiendan las tecnologías TrenchMOS para aplicaciones de disparo único o de avalancha repetitiva. Trench 9 está diseñado específicamente para ofrecer excepcional rendimiento de disparo único y de avalancha repetitiva para exigentes aplicaciones y condiciones de falla, y las hojas de datos de los MOSFET Trench 9 de Nexperia incluyen calificaciones de avalancha de disparo simple y repetitivo.

Características
  • Seis productos de nivel estándar de 1.4 mΩ a 3.5 mΩ
  • Capacidad RRDS (ON) mejorada de 3 mΩ a 1.4 mΩ
  • Tecnología de superunión muy sólida con capacidad excepcional de SOA y avalancha
  • Diseño mejorado de LFPAK56E que permite hasta 30% de mejora en RRDS (ON) y densidad de energía
  • Eficiencia y densidad de energía mejorada a través de la bajaRDS (ON) y mayor rendimiento de conmutación
  • Límites ajustados de Vth permiten lograr conexión fácil de MOSFET en paralelo en aplicaciones de alta corriente
  • ID máxima mejorada hasta 120 A
Aplicaciones

  • Control de motor (con  sin escobilla)
  • Manejo de energía y control de la transmisión
  • Control electrónico de estabilidad (ESC) y ABS
  • Bombas: agua, aceite y combustible
  • Protección contra polaridad inversa de batería
  • Convertidores de CC/CC

Trench 9 40 V MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561016 - Inmediata$1.83Ver detalles
MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56BUK7J1R4-40HXMOSFET N-CH 40V 190A LFPAK561439 - Inmediata$3.51Ver detalles
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y1R7-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561375 - Inmediata$1.91Ver detalles
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561130 - Inmediata$2.69Ver detalles
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561370 - Inmediata$1.67Ver detalles
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK560 - Inmediata$1.40Ver detalles
Publicado: 2017-11-30