MOSFET de alto rendimiento NextPowerS3
Los eficientes MOSFET de 25 V, 30 V y 40 V con un diodo de cuerpo SchottkyPlus ofrecen bajo spiking y baja fuga de IDSS
La plataforma MOSFET NextPowerS3 de alto rendimiento de 25 V, 30 V y 40 V de Nexperia incorpora la tecnología de superjunción con un paquete LFPAK con clip de cobre para ofrecer una baja RDS(on) y demostrar una capacidad de corriente continua de hasta 380 A. Estos parámetros, es decir, un valor máximo de DI fuerte/realista, un SOA muy fuerte y una baja RDS(on), funcionan simultáneamente, lo que hace que los MOSFET de alto rendimiento y alta fiabilidad se sitúen en una posición única sin compromiso.
- El exclusivo diodo de cuerpo SchottkyPlus ofrece bajo spiking y baja fuga de IDSS.
- Opciones de puerta de nivel lógico y de nivel estándar disponibles
- Gran capacidad de SOA en comparación con los principales competidores
- RDS(on) y QG equilibrados para una CC/CC de alta eficiencia
- Servidores y ordenadores de 12 V ORings y hot-swaps
- Rectificadores síncronos y FET de control de efecto de campo rápido
- Reguladores de voltaje (VRM) y módulos de punto de carga (PoL)
- Controles de motores con escobillas y BLDC
- Interruptores VBUS USB PD, interruptores de carga y protección de la batería
NextPowerS3 High-Performance MOSFETs
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | PSMN1R4-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 14290 - Inmediata | $2.41 | Ver detalles |
![]() | ![]() | PSMN2R4-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 1769 - Inmediata | $1.73 | Ver detalles |
![]() | ![]() | PSMN5R4-25YLDX | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK56 | 2997 - Inmediata | $1.05 | Ver detalles |
![]() | ![]() | PSMN2R0-25MLDX | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 | 11118 - Inmediata | $1.84 | Ver detalles |
![]() | ![]() | PSMN1R0-40YSHX | MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56 | 5497 - Inmediata | $4.88 | Ver detalles |








