MOSFET de alto rendimiento NextPowerS3

Los eficientes MOSFET de 25 V, 30 V y 40 V con un diodo de cuerpo SchottkyPlus ofrecen bajo spiking y baja fuga de IDSS

Imagen de los MOSFET de alto rendimiento NextPowerS3 de NexperiaLa plataforma MOSFET NextPowerS3 de alto rendimiento de 25 V, 30 V y 40 V de Nexperia incorpora la tecnología de superjunción con un paquete LFPAK con clip de cobre para ofrecer una baja RDS(on) y demostrar una capacidad de corriente continua de hasta 380 A. Estos parámetros, es decir, un valor máximo de DI fuerte/realista, un SOA muy fuerte y una baja RDS(on), funcionan simultáneamente, lo que hace que los MOSFET de alto rendimiento y alta fiabilidad se sitúen en una posición única sin compromiso.

Características
  • El exclusivo diodo de cuerpo SchottkyPlus ofrece bajo spiking y baja fuga de IDSS.
  • Opciones de puerta de nivel lógico y de nivel estándar disponibles
  • Gran capacidad de SOA en comparación con los principales competidores
  • RDS(on) y QG equilibrados para una CC/CC de alta eficiencia
Aplicaciones
  • Servidores y ordenadores de 12 V ORings y hot-swaps
  • Rectificadores síncronos y FET de control de efecto de campo rápido
  • Reguladores de voltaje (VRM) y módulos de punto de carga (PoL)
  • Controles de motores con escobillas y BLDC
  • Interruptores VBUS USB PD, interruptores de carga y protección de la batería

NextPowerS3 High-Performance MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56PSMN1R4-30YLDXMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK5614290 - Inmediata$2.41Ver detalles
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56PSMN2R4-30YLDXMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK561769 - Inmediata$1.73Ver detalles
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK56PSMN5R4-25YLDXMOSFET N-CH 25V 70A LFPAK562997 - Inmediata$1.05Ver detalles
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33PSMN2R0-25MLDXMOSFET N-CH 25V 70A LFPAK3311118 - Inmediata$1.84Ver detalles
MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56PSMN1R0-40YSHXMOSFET N-CH 40V 290A LFPAK565497 - Inmediata$4.88Ver detalles
Publicado: 2022-03-18