Diodos SiC de 650 V

El diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) de 650 V y 10 A de Nexperia, homologado para aplicaciones automotrices (PSC1065H-Q) y disponible en encapsulado DPAK (TO-252-2) de dos pines reales (R2P), ha anunciado que es líder en su clase, lo que lo hace idóneo para diversas aplicaciones en vehículos eléctricos y otros automóviles. Además, en una nueva ampliación de su cartera de diodos de SiC, Nexperia ofrece dispositivos industriales con valores de corriente de 6 A, 16 A y 20 A en encapsulados TO-220-2, TO-247-2 y D²PAK-2 para facilitar una mayor flexibilidad de diseño. Estos diodos responden a los retos de las exigentes aplicaciones de alta tensión y alta corriente, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores de CA/CC y CC/CC, infraestructuras de carga de baterías, accionamientos de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida e inversores fotovoltaicos para la producción de energía sostenible.