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MOSFET con tecnología de puerta dividida
Los MOSFET con tecnología de puerta dividida de MCC son adecuados para requisitos de ahorro de espacio y alta eficiencia en aplicaciones.
Micro Commercial Components presenta los MOSFET con tecnología de puerta dividida que ofrecen un valor de R DS (activado) extremadamente bajo y permiten mayor densidad de corriente en paquetes más pequeños. Esto los hace adecuados para requisitos de ahorro de espacio y alta eficiencia en aplicaciones.
Ventajas de la puerta dividida
- Mayor BVDSS
- Mayor dopaje de N en la región de deriva minimiza RDS (activado)
- Disminuye el QGD lo cual reduce el acoplamiento de carga de Miller
- El FOM mejorado reduce las pérdidas de conmutación y conducción.
- La oferta actual de cartera SGT varía entre 30 V y 150 V y un valor 1,5 mΩ RDS (activado) más bajo en paquetes comunes.
Características y beneficios
- Amplia gama de cartera LV MOSFET
- Valor R SP (resistencia específica en estado) bajo
- Alta eficiencia
- Alta calidad
- Entrega rápida
Publicado: 2020-05-22
