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MOSFET de canal P MCG052P10Y-TP/MCAC054P10Y-TP en paquetes DFN3333 y DFN5060
Los MOSFET de canal P de MCC están diseñados con un votlaje fuente de drenado (VDS) de 100 V, lo que los hace ideales para aplicaciones de alta tensión
Los MOSFET de canal P de alto rendimiento de Micro Commercial Components (MCC) están diseñados para simplificar los diseños de interruptores de lado alto, y presentan el MCG052P10Y-TP en paquete compacto DFN333 y el MCAC054P10Y-TP en paquete DFN5060. Estos dispositivos proporcionan una gestión eficiente de la energía combinando una baja RDS(ON) con corrientes continuas robustas. El MCG052P10Y-TP presenta una resistencia de encendido de 52 mΩ con una corriente continua de 16 A, mientras que el MCAC054P10Y-TP ofrece 54 mΩ de resistencia en alimentación con una potencia continua de 16 y una corriente continua más alta de 25 . Ambos MOSFET utilizan tecnología de zanja de compuerta dividida, lo que asegura estabilidad superior, baja resistencia en estado encendido y rendimiento de alta eficiencia para aplicaciones exigentes.
- Baja RDS(ON) de 52 mΩ (máx.) y 54 mΩ (máx.) a VGS = 10 V, lo que minimiza las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia global del sistema
- Tecnología MOSFET de trinchera con compuerta dividida optimizada para bajas pérdidas de maniobras y mayores eficiencias
- 100 V VDS es ideal para aplicaciones de alto voltaje
- Una resistencia térmica más baja de +5 °C/W y +1.86 °C/W de unión a caja permite una transferencia eficiente de calor a la placa de CI, lo que permite un funcionamiento estable a altos niveles de potencia sin apagones térmicos inmediatos
- RoHS y sin halógenos alineados con los estándares medioambientales globales y las iniciativas de fabricación verde
- Servidores de distribución de energía y conmutación de carga, sistemas de almacenamiento y equipos de red
- BMS
- Convertidores de CC/CC
- Amplificadores de potencia profesionales
- Accionamientos de motores industriales y control por solenoides
