MOSFET de canal N de 60 V en paquete DFN5060-C de la serie MCACL190N06Y-TP

MCC 60 V, 2 mΩ, 190 A, MOSFET de potencia de canal N está disponible en un encapsulado compacto de 5 mm x 6 mm para una conmutación de alta eficiencia

Imagen del MOSFET de canal N de 60 V serie MCACL190N06Y-TP de MCC El MOSFET de canal N de 60 V de alto rendimiento MCACL190N06Y-TP de Micro Commercial Components (MCC) se presenta en el encapsulado compacto DFN5060-C. Gracias a la tecnología Clip, este dispositivo presenta una resistencia de activación de drenaje-fuente estática ultrabaja de aproximadamente 2 mΩ y una elevada corriente continua nominal de 190 A, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación de potencia de alta eficiencia. El MCACL190N06Y-TP ofrece a los diseñadores una solución fiable y térmicamente capaz para sistemas eléctricos de próxima generación en circuitos industriales, de consumo y relacionados con el sector automotriz.

Características
  • RDS(on) muy baja de aproximadamente 2 mΩ (máx.) a VGS = 10 V, lo que minimiza las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia en diseños de alta corriente
  • Tecnología MOSFET de trinchera con compuerta dividida optimizada para bajas pérdidas de maniobras y mayores eficiencias
  • Tensión nominal de drenaje-fuente (VDS) de 60 V, adecuada para etapas de potencia de tensión moderada y topologías de sistema versátiles
  • Alta capacidad de corriente de drenaje continua (190 A) para etapas de potencia exigentes
  • El encapsulado DFN5060-C ofrece una huella compacta con transferencia térmica eficiente para diseños de PCB densos.
  • RoHS y sin halógenos alineados con los estándares medioambientales globales y las iniciativas de fabricación verde
Aplicaciones
  • Convertidores de CC-CC
  • Conmutador de carga y aplicaciones de gestión de energía
  • Controladores de motor
  • Servidores, telecomunicaciones y fuentes de alimentación industriales
  • Sistemas con alimentación a batería
Publicado: 2026-04-13