MOSFET de canal P de 30 V en encapsulado DFN5060 serie MCAC3D0P03L-TP

El MOSFET de canal P de 30 V serie MCAC3D0P03L-TP de MCC ofrece 3,0 mΩ y 40 A en un encapsulado compacto de 5 mm x 6 mm para la conmutación de alta corriente en el lado alto.

Imagen de MOSFET de canal P de 30 V en encapsulado DFN5060 serie MCAC3D0P03L-TP de MCCMicro Commercial Components (MCC) presenta el MCAC3D0P03L-TP que es un MOSFET de canal P de alto rendimiento en un encapsulado DFN5060 que ocupa poco espacio. Este dispositivo está diseñado para simplificar el diseño de interruptores de lado alto, combinando una baja resistencia de activación de 3,0 mΩ con un robusto valor nominal de corriente continua de 120 A. Ofrece a los diseñadores una solución compacta y muy eficaz para controlar los raíles de alimentación en aplicaciones con limitaciones de espacio.

Características

  • Presenta un bajo RDS(on) de 3,0 mΩ (máx.) a VGS=10 V, lo que minimiza las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia global del sistema
  • Tecnología MOSFET de BT en trinchera optimizada para bajas pérdidas de conmutación y mayores eficiencias
  • La menor resistencia térmica de 0,82°C/W de la unión a la carcasa le permite transferir eficazmente el calor a la placa de circuito impreso. Esto permite un funcionamiento estable a altos niveles de potencia sin un apagado térmico inmediato
  • La tensión de drenaje-fuente (VDS) de 30 V es ideal para aplicaciones de bus de alimentación de 12 V, proporcionando un amplio margen para el funcionamiento
Aplicaciones
  • Distribución de energía y conmutación de carga en servidores, sistemas de almacenamiento y equipos de red
  • BMS
  • Unidades de administración de alimentación
  • Convertidores de CC/CC
Publicado: 2025-12-08