MOSFET de canal P de 80 V MCAC017P08Y

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Productos destacados > MOSFET de canal P de 80 V MCAC017P08Y

            MOSFET de canal P de 80 V MCAC017P08Y
                    El MOSFET avanzado de canal P de 80V MCAC017P08Y de MCC en un paquete de DFN5060 compacto presenta una conmutación rápida y bajas pérdidas
    

Image of MCC MCAC017P08Y 80 V P-Channel MOSFET El MOSFET de canal P avanzado MCAC017P08Y de MCC es un componente de 80 V diseñado con tecnología SGT para ofrecer la máxima eficiencia en el compacto encapsulado DFN5060. Con una resistencia en estado encendido (R_DS(on)) de tan solo 17 mΩ, una carga de compuerta de 17 nC y bajas pérdidas de conducción, este MOSFET garantiza el rendimiento y la fiabilidad necesarios para una conmutación rápida con un consumo de energía mínimo. Perfecto para aplicaciones de alta conmutación, como accionamientos de motor, convertidores de CC/CC y módulos de accionamiento de potencia, el MCAC017P08Y permite innovar en entornos con limitaciones de espacio a la vez que mejora el rendimiento del sistema.

Características

Tecnología SGT: mejora la eficiencia, al mismo tiempo que reduce la pérdida de potencia
Baja R_DS(on): los 17 mΩ reducen las pérdidas por conmutación, lo que aumenta la eficiencia
Bajas pérdidas por conducción: minimizan la generación de calor para un rendimiento óptimo
Bajas pérdidas por conmutación: permiten una conmutación rápida para aplicaciones de alta frecuencia

Baja carga de puerta: una carga de compuerta de 17 nC acelera la conmutación
Alta densidad de potencia: el encapsulado DFN5x6 ahorra espacio sin reducir el rendimiento
Excelente rendimiento térmico: facilita un funcionamiento seguro al evitar el sobrecalentamiento.

Aplicaciones