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MOSFET de canal P de 100 V con baja RDS(on)
Los MOSFET de canal MCC-P ofrecen un rendimiento superior en encapsulados DFN5060 y DPAK
MCC Semi añade cuatro componentes a su avanzada gama de MOSFET de canal P. Los MCAC085P10, MCAC055P10, MCU055P10 y MCU085P10, compatibles con aplicaciones de 100 V, desde protección de baterías hasta accionamientos de motores e interruptores de lado alto, están fabricados para ofrecer fiabilidad en entornos difíciles.
Con una resistencia de activación máxima de 55 mΩ u 85 mΩ, estos MOSFET mejoran la eficiencia global del sistema, a la vez que reducen la disipación de potencia. Aprovechando la tecnología de zanja y un rendimiento térmico superior, estas versátiles soluciones ofrecen a los ingenieros una alta densidad de potencia en un encapsulado compacto DFN5060 o DPAK.
Estos MOSFET de canal P son la elección obvia para un rendimiento inigualable y una gestión eficaz de la potencia.
- Tecnología de MOSFET de trinchera: mejora la capacidad de corriente y reduce la resistencia a la conexión
- Baja resistencia en estado encendido: una RDS(on)máxima de 55 mΩ u 85 mΩ minimiza el consumo de energía y aumenta la eficiencia.
- Bajas pérdidas por conducción: reducen la generación de calor, al mismo tiempo que mejoran el funcionamiento general del sistema.
- Excelente rendimiento térmico: protege el dispositivo contra el sobrecalentamiento durante su uso a altas temperaturas.
- Alta densidad de potencia: disponible en encapsulados compactos DFN5060 y DPAK
- Eficiencia mejorada: al presentar una resistencia a la conexión de solo 55 mΩ u 85 mΩ, combinada con bajas pérdidas de conducción, estos MOSFET mejoran significativamente la eficiencia global.
- Diseño que ahorra espacio: tanto el encapsulado DFN5060 como el DPAK ofrecen una alta densidad de potencia, por lo que estos componentes resultan ideales para ahorrar un valioso espacio de diseño en las placas de circuitos.
- Gestión térmica superior: el excelente rendimiento térmico garantiza un funcionamiento fiable en situaciones de alta temperatura, lo que reduce el riesgo de sobrecalentamiento y fallo del sistema.
- Versatilidad de aplicaciones: con un voltaje de ruptura drenaje-fuente de 100 V, esta gama de MOSFET avanzados ofrece flexibilidad de diseño y funcionalidad para diversas aplicaciones industriales y de consumo.
- Gestión de alimentación
- Protección de baterías
- Convertidores de CC-CC
- Soluciones de iluminación
- Controles de iluminación
- Automatización industrial
- Accionamientos de motor
- Interruptores de lado alto
100 V P-Channel MOSFETs with Low RDS(on)
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Rds On (máx) @ Id, Vgs | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MCU085P10-TP | P-CHANNEL MOSFET,DPAK | 20A (Tc) | 85mOhm a 10A, 10V | 4865 - Inmediata | $1.24 | Ver detalles |
|  | MCAC085P10-TP | P-CHANNEL MOSFET,DFN5060 | 18A (Tc) | 85mOhm a 10A, 10V | 5000 - Inmediata | $0.90 | Ver detalles |
| | MCAC055P10-TP | MOSFET P-CH 100 25A DFN5060 | 25A (Tc) | 55mOhm a 20A, 10V | 9954 - Inmediata | $1.66 | Ver detalles |
| | MCU055P10-TP | P-CHANNEL MOSFET,DPAK | 28A (Tc) | 55mOhm a 20A, 10V | 2355 - Inmediata | $1.46 | Ver detalles |
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