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MOSFET de doble canal N y P de 100 V en encapsulado DFN3333-D
Los MOSFET de doble canal MCC están diseñados para aplicaciones de potencia compactas.
El MCGD115NP10L-TP de Micro Commercial Components (MCC) es una matriz de MOSFET de doble canal N y P de 100 V en el encapsulado compacto DFN3333-D. Diseñado para sistemas de potencia con limitaciones de espacio, este dispositivo integra MOSFET de canal N y P con una robusta resistencia a la conexión y capacidad de manejo de corriente. Con una resistencia de activación máxima de 115 mΩ (canal N) a 10 V y una corriente nominal de 10 A, el MCGD115NP10L-TP ofrece un rendimiento térmico y de conmutación eficiente, lo que lo hace ideal para convertidores CC/CC, conmutadores de carga y control de potencia de alta velocidad en entornos de consumo, industriales y automotrices.
Características
- Una matriz de MOSFET de doble canal N y P proporciona una conmutación de potencia flexible en un único encapsulado compacto.
- Tecnología MOSFET LV de potencia en trinchera
- Voltaje nominal de drenaje-fuente (VDS) de 100 V, ideal para sistemas de alimentación de voltaje moderado
- Baja RDS(ON) del canal N de 115 mΩ (máx.) a VGS = 10 V, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficacia
- Los MOSFET complementarios integrados ayudan a simplificar el diseño de la placa de circuito impreso y a reducir el número de componentes.
- El encapsulado DFN3333-D de montaje superficial permite la disposición de placas de alta densidad en sistemas compactos.
- Cumple la directiva RoHS y no contiene halógenos, por lo que se ajusta a las normas medioambientales mundiales.
Aplicaciones
- Convertidores de CC/CC
- Aplicaciones del conmutador de carga
- Gestión de la energía en aplicaciones automotrices
- Impulsores de motor
- Control de la energía de consumo e industrial
Publicado: 2026-04-24
