Familia SPA® deMatrices de diodos TVSProtectores de sobretensión inducida por rayo y ESD de alto rendimiento diseñados para interfaces de E/S |
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Familia SPA® de matrices de diodo TVS de Littelfuse®La familia SPA de dispositivos de matriz de diodo TVS Littelfuse está diseñada para proteger los aparatos electrónicos contra transitorios de voltaje muy rápidos y normalmente perjudiciales, como rayos y descargas electrostáticas (ESD). Ofrecen una solución de protección ideal para interfaces de E/S analógicas y digitales para los distintos mercados, incluidos el de los consumidores, el de las telecomunicaciones, el industrial, el médico, el de la informática, etc. La descarga electrostática (ESD) es un transitorio eléctrico que presenta un peligro grave para los circuitos electrónicos. La causa más común es la fricción entre dos materiales diferentes, lo cual provoca una acumulación de cargas eléctricas en sus superficies. Comúnmente una de estas superficies es el cuerpo humano y, por lo general, esta carga estática alcanza un potencial de hasta 15,000 V. A 6,000 V de carga estática, un evento de ESD puede ser perjudicial para una persona. Las descargas de voltaje más bajo pueden ser imperceptibles, pero todavía pueden causar daños muy graves en circuitos y componentes electrónicos. Estos diodos sólidos pueden absorber los golpes de ESD repetitivos de manera segura, sin degradación del rendimiento, a un nivel máximo (Nivel 4) especificado en la norma internacional IEC 61000-4-2.
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| Voltaje | Corriente | Tiempo de ascenso | Duración | |
|---|---|---|---|---|
| Iluminación | 25 kV | 20 kA | 10 μs | 1 ms |
| Conmutación | 600 V | 500 A | 50 μs | 500 ms |
| EMP | 1 kV | 10 A | 20 ns | 1 ms |
| ESD | 15 kV | 30 A | <1 ns | 100 ns |
¿Por qué aumenta la preocupación por los transitorios?
La miniaturización de componentes ha creado mayor sensibilidad a la tensión eléctrica. Los microprocesadores, por ejemplo, tienen estructuras y rutas conductoras que no pueden controlar los altos niveles de corriente de los transitorios de ESD. Estos componentes funcionan a niveles de voltaje muy bajos; por ello, las alteraciones de voltaje deben controlarse para evitar la interrupción de dispositivos y las fallas catastróficas o latentes.
| Tipo de dispositivo | Vulnerabilidad (voltios) |
|---|---|
| VMOS | 38-1800 |
| MOSFET | 100-200 |
| GaAsFET | 100-300 |
| EPROM | 100 |
| JFET | 140-7000 |
| CMOS | 250-3000 |
| Diodos Schottky | 300-2500 |
| Transistores bipolares | 380-7000 |
| SCR | 680-1000 |
En la actualidad, los microprocesadores sensibles son muy comunes en una amplia gama de dispositivos. Todos los tipos de productos, desde electrodomésticos (como lavavajillas) hasta controles industriales e incluso juguetes utilizan microprocesadores para mejorar la funcionalidad y la eficiencia.
La mayoría de los vehículos ahora también emplea varios sistemas electrónicos para controlar el motor, la temperatura, el frenado y –en algunos casos– la dirección, la tracción y los sistemas de seguridad.
Muchos de los componentes secundarios o de soporte (como motores eléctricos o accesorios) en electrodomésticos y automóviles presentan amenazas de transitorios para todo el sistema.
El diseño de circuitos meticuloso no solo debe considerar los escenarios ambientales, sino también los efectos potenciales de estos componentes relacionados. La tabla 2 a continuación muestra la vulnerabilidad de varias tecnologías de componentes.
| Nombre de la serie | Esquema (ejemplo) | Nivel de ESD (contacto) | Cubierta de E/S | vRWM | Rayos (tP=8/20 μs) | Cantidad de canales | Opciones de paquetes |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Protección contra descarga electrostática para uso general Protección para interfaces humanas (teclados, botones, interruptores, puertos de audio, etc.) |
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| Nuevo SP1043 |
![]() |
±12 kV | 8 pF | 6 V | 1 A | 1 | 01005 Flipchip |
| Nuevo SP3145 |
±20 kV | 0.35 pF | 3.3 V | 1 A | 1 | 01005 Flipchip |
|
| SP1003 | ±25 kV | 30 pF (17 pF a 2.5 V) | 5 V | 7 A | 1 | SOD882 | |
| SOD723 | |||||||
| Nuevo SP1044 |
±30 kV | 3 0pF | 6 V | 3 A | 1 | 01005 Flipchip |
|
| SP1006 | ±30 kV | 25 pF (15 pF a 2.5 V) | 6 V | 5 A | 1 | μDFN-2 | |
| Serie SPHV | ±30 kV | 25-60 pF | 12-36 V | 8 A | 1 | SOD882 | |
| Serie SD | ±30 kV | 50-350 pF | 5-36 V | 30 A | 1 | SOD323 | |
| SP1007 | ![]() |
±8 kV | 5 pF (3.5 pF a 5 V) | 6 V | 2 A | 1 |
0201 |
| Pastilla dispersora | |||||||
| SP1002 | ±8 kV | 6 pF (5 pF a 2,5 V) | 6 V | 2 A | 1 | SC70-3 | |
| 2 | SC70-5 | ||||||
| Nuevo SP24-01WTG-C-HV |
±10 kV | 10 pF | 36 V | 1.5 A | 1 | Pastilla dispersora | |
| SP1014 | ±12 kV | 6 pF | 5 V | 2 A | 1 | Pastilla dispersora | |
|
SP1021 |
±12 kV | 6 pF | 6 V | 2 A | 1 | Pastilla dispersora 01005 | |
| SP1008 | ±15 kV | 9 pF (6 pF a 5 V) | 6 V | 2.5 A | 1 | 0201 | |
| Pastilla dispersora | |||||||
| Nuevo SP24-01WTG-C-HV |
±18 kV | 13 pF | 24 V | 3 A | 1 | Pastilla dispersora | |
| SM24CANA* | ±24 kV | 11 pF | 24 V | 3 A | 2 | SOT23-3 | |
| Nuevo SP1026 |
±30 kV | 1 5pF | 6 V | 5 A | 1 | μDFN-2 (0201) | |
| SP1020 | ±30 kV | 20 pF | 6 V | 5 A | 1 | Pastilla dispersora 01005 | |
| Nuevo SP15-01WTG-C-HV |
±30 kV | 21 pF | 15 V | 5 A | 1 | Pastilla dispersora | |
| Nuevo SP12-01WTG-C-HV |
±30 kV | 26 pF | 12 V | 8 A | 1 | Pastilla dispersora | |
| SP1013 | ±30 kV | 30 pF | 5 V | 8 A | 1 | Pastilla dispersora | |
| SP1005 | ±30 kV | 30 pF (23 pF a 2,5 V) | 6 V | 10 A | 1 | 0201 | |
| SM24CANB* | ±30 kV | 30 pF | 24 V | 10 A | 2 | SOT23-3 | |
| SM712* | ±30 kV | 75 pF | -7 V a +12 V | 19 A | 2 | SOT23-3 | |
| Serie SM* | ±30 kV | 400 pF | 5-36 V | 24 A | 2 | SOT23-3 | |
| Serie SD-C | ±30 kV | 200 pF | 5-36 V | 30 A | 1 | SOD323 | |
| SP1004 |
(se muestran 4 canales) |
±8 kV | 6 pF (5 pF a 1,5 V) | 6 V | 2 A | 4 | SOT953 |
| SP1012 | ±15 kV | 6.5 pF | 5 V | 3 A | 5 | Pastilla dispersora | |
| SP1001 | ±15 kV | 12 pF (8 pF a 2.5 V) | 5.5 V | 2 A | 2 | SC70-3 | |
| SOT553 | |||||||
| 4 | SC70-5 | ||||||
| SOT553 | |||||||
| 5 | SC70-6 | ||||||
| SOT563 | |||||||
| SOT963 | |||||||
| SP1011 | ±15 kV | 12 pF (7 pF a 2.5 V) | 6 V | 2 A | 4 | μDFN-6 1.25x1.0 mm |
|
| SP050xBA | ±30 kV | 50 pF (30 pF a 2,5 V) | 5.5 V | N/D | 2 | SOT23-3 | |
| SC70-3 | |||||||
| 3 | SOT143 | ||||||
| 4 | SOT23-5 | ||||||
| SC70-5 | |||||||
| 5 | SOT23-6 | ||||||
| SC70-6 | |||||||
| 6 | MSOP-8 | ||||||
| SP1015 |
|
±20 kV | 5 pF | 5 V | 2 A | 4 | 0.95X0.55MM Pastilla dispersora |
| Nombre de la serie | Esquema (ejemplo) | Nivel de ESD (contacto) | Cubierta de E/S | vRWM | Rayos (tP=8/20 μs) | Cantidad de canales | Opciones de paquetes |
| Protección contra ESD para uso general (Matrices de diodo SCR) | |||||||
| SP721 | ![]() |
±4 kV | 3 pF | 30 V o (±15 V) | 3 A | 6 | SOIC-8 |
| PDIP-8 | |||||||
| SP720 | ±4 kV | 3 pF | 30 V o (±15 V) | 3 A | 14 | SOIC-16 | |
| PDIP-16 | |||||||
| SP724 | ±8 kV | 3 pF | 20 V o (±10 V) | 3 A | 4 | SOT23-6 | |
| SP723 | ±8 kV | 5 pF | 30 V o (±15 V) | 7 A | 6 | SOIC-8 | |
| PDIP-8 | |||||||
| SP725 | ±8 kV | 5 pF | 30 V o (±15 V) | 14 A | 4 | SOIC-8 | |
| Nombre de la serie | Esquema (ejemplo) | Nivel de ESD (contacto) | Cubierta de E/S | vRWM | Rayos (tP=8/20 μs) | Cantidad de canales | Opciones de paquetes |
| Protección contra ESD de baja capacitancia Protección para líneas de datos (USB, HDMI, eSATA, etc.) |
|||||||
| SESD |
|
±20 kV | 0.25 pF | 7 V | 2 A | 1 | 0201 DFN* |
| 0402 DFN* | |||||||
| ±22 kV | 0.30 pF | 7 V | 2.5 A | 1 | 0402 DFN | ||
| SP3021 | ![]() |
±8 kV | 0.50 pF | 5 V | 2 A | 1 | SOD882 |
| Nuevo SP3118 |
±10 kV | 0.30 pF | 18 V | 2 A | 1 | Pastilla dispersora 0201 | |
| SOD882 | |||||||
| Nuevo SP3130 |
±10 kV | 0.30 pF | 28 V | 2 A | 1 | Pastilla dispersora 0201 | |
| SOD882 | |||||||
| SP3031 | ±10 kV | 0.80 pF | 5 V | 2 A | 1 | SOD882 | |
| SP3022 | ±20 kV | 0.35 pF | 5.3 V | 3 A | 1 | Pastilla dispersora 0201 | |
| SOD882* | |||||||
| SESD | ±20 kV | 0.13 pF | ±7 V | 2 A | 1 | 0201 DFN* | |
| 0402 DFN* | |||||||
| ±22 kV | 0.15 pF | 7 V | 2.5 A | 1 | 0402 DFN | ||
| SP0502B* |
(se muestran 4 canales) |
±15 kV | 1 pF | 5 V | 2 A | 2 | SOT523 |
| SESD | ±20 kV | 0.20 pF | 7 V | 2 A | 2 | 0402 DFN | |
| 4 | 0802 DFN | ||||||
| 4 | 1004 DFN* | ||||||
| 6 | 1103 DFN | ||||||
| ±22 kV | 0.30 pF | 7 V | 2.2 A | 2 | 0402 DFN | ||
| 4 | 1004 DFn | ||||||
| SP1255* |
|
±12 kV | 0.50 pF (1300 pF Pin 1) |
4 V (12 V Pin 1) |
4 A (100 A Pin 1) |
3 | μDFN-6 |
| SP3001 | ![]() |
±8 kV | 0.65 pF | 6 V | 2.5 A | 4 | SC70-6 |
| SP3003 | ±8 kV | 0.65 pF | 6 V | 2.5 A | 2 | SC70-5 | |
| SOT553 | |||||||
| μDFN-61.6x1.0 mm | |||||||
| 4 | SC70-6 | ||||||
| SOT563 | |||||||
| 8 | MSOP-10 | ||||||
| SP3004 | ±12 kV | 0.85 pF | 6 V | 4 A | 4 | SOT563 | |
| SP0504SHTG | ±12 kV | 0.85 pF | 6 V | 4.5 A | 4 | SOT23-6 | |
| SP3002 | ±12 kV | 0.85 pF | 6 V | 4.5 A | 4 | SC70-6 | |
| SOT23-6 | |||||||
| μDFN-61.6x1.6 mm | |||||||
| SP3014 | ±15 kV | 1.0 pF | 5 V | 8 A | 2 | μDFN-6L 1.65x1.05 mm | |
| Nuevo SP8142-04UTG |
±22 kV | 1.0 pF | 5 V | 2.5 A | 4 | μDFN-10 2.5 X 1.35 mm | |
| SP0524PTUG | ![]() |
±12 kV | 0.50 pF | 5 V | 4 A | 4 | μDFN-10 2.5x1.0 mm |
| Nuevo SP0544TUTG | |||||||
| SP3012-4 | |||||||
| Nuevo SP8143-06UTG |
±22 kV | 1.0 pF | 5 V | 2.5 A | 6 | μDFN-16 | |
| SP3010 | ![]() |
±8 kV | 0.45 pF | 6 V | 3 A | 4 | μDFN-10 2.5x1.0 mm |
| SP3011 | ![]() |
±8 kV | 0.40 pF | 6 V | 3 A | 6 | μDFN-14 3.5x1.35 mm |
| SP3012-6 | ![]() |
±12 kV | 0.50 pF | 5 V | 4 A | 6 | μDFN-14 3.5x1.35 mm |
| Nuevo SP7538PUTG |
![]() |
±12 kV | 0.50 pF | 5 V | 4 A | 8 | μDFN-9 |
| Nombre de la serie | Esquema (ejemplo) | Nivel de ESD (contacto) | Cubierta de E/S | vRWM | Rayos (tP=8/20 μs) | Cantidad de canales | Opciones de paquetes |
| Protección contra sobrevoltaje inducido por rayo Protección para datos de banda ancha y líneas de comunicación (Ethernet, xDSL, etc.) |
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| Nuevo SP1555 |
![]() |
±30 kV | 800 pF | 15 V | 120 A | 1 | μDFN - 6 1.8 x 2.0 mm |
| Nuevo SP1255-01UTG* |
±30 kV | 1300 - 2500 pF | 13.5 V | 160 A | 1 | μDFN - 6 1.8 x 2.0 mm | |
| SP3312* | ![]() |
±30 kV | 1.3 pF | 3.3 V | 15 A | 4 | μDFN-8 |
| SP4022* |
Unidireccional |
±30 kV | 1.3 pF | 12 V | 15 A | 1 | SOD323 |
| SP4023* | ±30 kV | 1.3 pF | 15 V | 12 A | 1 | SOD323 | |
| SP4024* | ±30 kV | 1.3 pF | 24 V | 7 A | 1 | SOD323 | |
| SP4022-C* |
Bidireccional |
±30 kV | 1.3 pF | 12 V | 15 A | 1 | SOD323 |
| SP4023-C* | ±30 kV | 1.3 pF | 15 V | 12 A | 1 | SOD323 | |
| SP4024-C* | ±30 kV | 1.3 pF | 24 V | 7 A | 1 | SOD323 | |
| SLVU2.8 | ![]() |
±30 kV | 2 pF | 2.8 V | 40 A | 1 | SOT23-3 |
| SLVU2.8 | |||||||
| SLVU2.8-8 | ![]() |
±30 kV | 2.6 pF | 2.8 V | 30 A | 8 | SOIC-8 |
| SP2502LBTG | ![]() |
±30 kV | 5 pF | 2.5 V | 75 A | 2 | SOIC-8 |
| SP4040 | |||||||
| SR05 | ±30 kV | 8 pF | 5 V | 25 A | 2 | SOT-143 | |
| LC03-3.3 | ±30 kV | 9 pF | 3.3 V | 150 A | 2 | SOIC-8 | |
| Nuevo SP4042 |
±30 kV | 11 pF | 3.3 V | 95 A | 2 | μDFN-10 (2.6 x 2.6 mm) | |
| SP03-3.3 | ±30 kV | 16 pF | 3.3 V | 150 A | 2 | SOIC-8 | |
| SP03-6 | ±30 kV | 16 pF | 6 V | 150 A | 2 | SOIC-8 | |
| SP4044* |
|
±30 kV | 1.5 pF | 2.8 V | 24 A | 4 | MSOP-10 |
| SP4045* | 3.3 V | ||||||
| SLVU2.8-4 | ![]() |
±30 kV | 2 pF | 2.8 V | 40 A | 4 | SOIC-8 |
| SRV05-4 | ![]() |
±20 kV | 2.4 pF | 6 V | 10 A | 4 | SOT23-6 |
| SP3050 | |||||||
| SP2504NUTG | ![]() |
±30 kV | 3.5 pF | 2.5 V | 20 A | 4 | μDFN-10 (2.6 x 2.6) |
| SP4061 | |||||||
| SP3304NUTG | ±30 kV | 3.5 pF | 3.3 V | 20 A | 4 | μDFN-10 (2.6 x 2.6) | |
| SP4062 | |||||||
| SP2574NUTG | ![]() |
±30 kV | 5.0 pf | 2.5 V | 40 A | 4 | μDFN-10 (3.0x2.0 mm) |
| SRDA05 | ![]() |
±30 kV | 8 pF | 5 V | 30 A | 4 | SOIC-8 |
| SP4060 | ![]() |
±30 kV | 4.4 pF | 2.5 V | 20 A | 8 | MSOP10 |
| SP4065 | 3.3 V | ||||||
| Nombre de la serie | Esquema (ejemplo) | Nivel de ESD (contacto) | Cubierta de E/S | vRWM | Atenuación de filtros EMI | Cantidad de canales | Opciones de paquetes |
| Dispositivos de ESD e EMI - Protección para las interfaces de visualización de dispositivos móviles (teléfonos móviles, dispositivos de navegación, etc.) |
|||||||
| SP5001 |
(se muestran 4 canales) |
±15 kV | 1.3 pF | 5 V | 30 dB a 800 MHz | 4 | TDFN-10 2.5X2.0 mm |
| SP5002 | ±15 kV | 1.3 pF | 5 V | 30 dB a 800 MHz | 6 | TDFN-16 4.0X2.0 mm | |
| SP5003 | ±15 kV | 1.3 pF | 5 V | 16 dB a 900 MHz | 4 | TDFN-10 2.5X2.0 mm | |
| SP6001 |
(se muestran 4 canales) |
±30 kV | 24 pF (CDIODE=12 pF) | 6 V | ≥ -30 dB a 1 GHz | 4 |
μDFN-8 1.7 mm x 1.35 mm |
| 6 |
μDFN-12 2.5 mm x 1.35 mm |
||||||
| 8 |
μDFN-16 3.3 mm x 1.35 mm |
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| SP6002 | ±30 kV | 30 pF (CDIODE=15 pF) | 6 V | ≥ -30 dB a 1 GHz | 4 |
μDFN-8 1.7 mm x 1.35 mm |
|
| 6 |
μDFN-12 2.5 mm x 1.35 mm |
||||||
Nota: * Parte cualificada automática AEC-Q
Para ver una hoja de datos, haga clic aquí para visitar nuestro sitio de búsqueda de piezas y elegir la serie adecuada.
Catálogo de la matriz de diodo TVS (línea SPA®)
Los dispositivos SPA de Littelfuse están diseñados para proteger los aparatos electrónicos contra transitorios de voltaje muy rápidos y normalmente perjudiciales, como rayos y descargas electrostáticas (ESD). Ofrecen una solución de protección ideal para interfaces de E/S y líneas de señal analógica y digital en los mercados de computación y productos electrónicos portátiles de consumo.
Los dispositivos SPA de Littelfuse están disponibles en una amplia variedad de configuraciones de embalaje que incluye DIP, SOIC, MSOP, SOT23, SOT143, SC70, SOT5x3, SOT953, μDFN, SOD723 y pastilla dispersora. Ver catálogo
Guía de selección de matrices de diodo y TVS AEC-Q101
Esta guía de selección se centra en las aplicaciones de automoción y los productos que cumplan con los requisitos dentro de las categorías de productos de matrices de diodo TVS y Diodos TVS.
Los arreglos de diodos de TVS (supresor de voltaje transiente) de las series SP4044 y SP4045 de Littelfuse ofrecen a los diseñadores de circuito soluciones contra sobrevoltajes para las interfaces de 10 GbE o 1 GbE en paquetes MSOP-10 y SMT (tecnología de montaje en superficie) con factor de forma pequeño. Estos componentes combinan los beneficios de la carga de capacitancia baja en estado apagado y resistencia de dinámica baja con un régimen sólido contra sobretensión.
Los diseñadores de los dispositivos eléctricos actuales han exigido más funciones con mayor flexibilidad y niveles más elevados de interacción con el usuario. Estas circunstancias han permitido impulsar el desarrollo de chipsets nanométricos con una gran cantidad de puertos o interfaces de usuario. Con la convergencia de estos dos elementos, los dispositivos electrónicos son más susceptibles a la ESD y requieren una solución más sólida. Ver guía
Nota de aplicación: Selección del dispositivo ESD adecuado
En la actualidad, los diseñadores de placa se enfrentan con una gran cantidad de opciones para la protección contra ESD. A menudo el diseñador se ve limitado por ciertas restricciones, como el grado de capacitancia parásita que su aplicación puede soportar o el nivel requerido de ESD que debe aprobar la placa sin presentar fallas. Con bastante frecuencia, las limitaciones no reducen la cantidad de dispositivos ESD disponibles a una lista manejable. Esta hoja informativa orientará al diseñador y lo ayudará a elegir el dispositivo de ESD que proporcionará la mayor probabilidad de obtener un diseño de primer paso satisfactorio. Ver nota de aplicación
Nota de aplicación: Consejos para mejorar la protección contra ESD
En esta hoja informativa, abordaremos varias técnicas que un diseñador de placas puede emplear para ayudarlo(la) a obtener el nivel requerido de ESD para su diseño, si los dispositivos de protección contra ESD elegidos no pasan la prueba de ESD en el sistema. Ver nota de aplicación
Nota de aplicación: Protección de circuitos contra ESD en puertos USB 3.0
Este artículo explica los problemas de manera más detallada y muestra los resultados de pruebas del diagrama visual USB 3.0 para demostrar por qué la matriz de protección de silicio adecuada es la mejor tecnología para proteger aplicaciones USB 3.0 contra ESD. Ver nota de aplicación
Nota de aplicación: Protección contra rayos, ESD y EFT en puertos Ethernet
Comprender la naturaleza y la "direccionalidad" de los eventos indicados anteriormente ayudará al diseñador a saber cómo brindar la mejor protección para un puerto Ethernet y, lo que es más importante, a saber cómo las conexiones de clavija del dispositivo afectarán el rendimiento del sistema. Ver nota de aplicación


Protección de alto rendimiento contra voltaje transitorio con dispositivos que cumplen los requisitos más actuales de alto ancho de banda




























