IXYS

MOSFET de potencia de canal P IXTY2P50PA serie PolarP™

El MOSFET de IXYS con calificación AEC-Q101 tiene una baja pérdida de conducción y un excelente rendimiento de conmutación

Imagen del MOSFET de potencia de canal P IXTY2P50PA serie PolarP™ de IXYSEl IXTY2P50PA de IXYS es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P PolarP™ de -500 V, -2 A, con calificación AEC-Q101 y disponible en PPAP, en encapsulado TO-252 (DPAK). Utiliza la plataforma tecnológica Polar, lo que se traduce en una importante reducción de la resistencia en estado encendido (RDS(ON), máx. = 4.2 Ω) y de la carga de puerta (Qg = 11.9 nC). El MOSFET de canal P tiene una baja pérdida de conducción y un excelente rendimiento de conmutación, mientras que sus valores nominales dv/dt y de avalancha lo hacen extremadamente resistente en entornos y aplicaciones de funcionamiento exigentes.

Características
  • Simplifica la homologación y la certificación
  • Diseño térmico simplificado
  • Pérdidas mínimas en los controladores
  • Confiabilidad mejorada
  • Ahorro de espacio en la placa de circuito impreso

IXTY2P50PA Series PolarP™ P-Channel Power MOSFET

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónTipo FETTecnologíaVoltaje de drenaje a fuente (Vdss)Cantidad disponiblePrecioVer detalles
AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHANIXTY2P50PAAUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHANCanal PMOSFET (óxido de metal)500 V745 - Inmediata$4.15Ver detalles
Publicado: 2024-01-11