IXYS

MOSFET de potencia discretos de clase X4 de ultraunión serie IXTx60N20X4

Los MOSFET de potencia de 200 V de Littelfuse permiten a los diseñadores lograr una mayor eficiencia y una mayor densidad de potencia.

Imagen del MOSFET de potencia discretos de ultraunión y clase X4 IXTx60N20X4 de IXYS/Littelfuse El MOSFET de clase X4 con ultraunión de 200 V de Littelfuse está disponible con corriente nominal de 60 A en encapsulados TO-263, TO-220 y TO-247. Estos MOSFET de potencia presentan una resistencia de canal reducida RDS(on). La ckase X4 presenta una reducción significativa de la figura de mérito (FOM) - RDS(ON) x Qg en comparación con la clase X3 predecesora. Estas ventajas permiten a los diseñadores conseguir una mayor eficiencia y una mayor densidad de potencia.

Características y beneficios
  • Bajas pérdidas estáticas: Diseño térmico simplificado
  • Carga de puerta reducida: Controlador simplificado que reduce el esfuerzo de diseño.
  • Alta capacidad de energía de avalancha: alta resistencia a la sobretensión con mayor fiabilidad en la aplicación
Mercados y aplicaciones
  • Control de motores en sistemas de voltaje bajo (48 V a 110 V)
  • Convertidores de CC/CC de baja tensión
  • Sistemas residenciales de almacenamiento de energía en baterías de bajo voltaje
  • Fuentes de alimentación de modo conmutado y bajo voltaje para aplicaciones de telecomunicaciones y servidores.
  • Carretillas elevadoras y carros de golf eléctricos de batería

IXTx60N20X4 Ultra Junction X4-Class Discrete Power MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
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Publicado: 2022-06-21