IGBT XPT de 600 V

IXYS Corporation/Littelfuse ofrece una expansión de este su línea de productos IGBT XPT mediante la incorporación de dispositivos discretos de 600 V. Estos nuevos IGBT discretos se adaptan a las demandas del mercado de dispositivos de semiconductor altamente resistentes, de pequeñas pérdidas que ofrecen la posibilidad de ser configurados fácilmente en paralelo. Los dispositivos recomendados demuestran un rendimiento superior y una robustez excepcional en aplicaciones tales como inversores de potencia, fuentes de alimentación ininterrumpida, unidades de motor, fuentes de alimentación de modo de conmutación, circuitos de corrección de factor de potencia, cargadores de baterías, soldadoras y balastos de lámparas.

La versión inicial de estas nuevas IGBT discretas XPT incluye dispositivos que están disponibles con corrientes nominales de 100 a 210 A. Desarrollados utilizando la plataforma de diseño PT (XPT) extremadamente liviana de IXYS/Littelfuse, estos nuevos dispositivos ofrecen excelentes características eléctricas, que incluyen Vcesat típico tan bajo como 1.8 V, bajo tiempos de caída de corriente típico (tfi tan baja como 42 ns) y energía de apagado típica baja por valores de pulso (Eoff tan baja como 0.33 mJ). Además, demuestran robustez excepcional durante la conmutación y condiciones de corto circuito, estableciendo un nuevo punto de referencia en la resistencia del dispositivo. Esto se logra a través de un área de funcionamiento seguro en caso de cortocircuito de10 us (SCSOA), calificaciones de avalancha dinámica, y un área de funcionamiento seguro en derivación inversa (RBSOA) clasificado hasta el dispositivo de bloqueo de voltaje. Además, estos dispositivos cuentan con un área extendida de funcionamiento de derivación directa (FBSOA), permitiendo una "ventana más amplia operación" dictadas por las limitaciones de potencia del dispositivo, dando por resultado la mejora de la robustez y fiabilidad.

Los IGBT XPT de IXYS/Littelfuse están disponibles en dos clasificaciones de velocidad distintivas; las clases C3 y B3 respectivamente. Las clasificaciones de velocidad B3 y C3 ofrecen a los diseñadores un enfoque más flexible para la selección del dispositivo con respecto a los requisitos críticos como cambio de frecuencia, voltaje de saturación y costos. Los dispositivos clase B3 cuentan con un excelente equilibrio entre conducción y pérdidas de conmutación y están optimizados para frecuencias de conmutación duras de 10 a 30 kHz. Los dispositivos clase C3 están optimizados para pérdidas en conmutación mínimas y se recomiendan para frecuencias de conmutación duras de 20 a 60 kHz.

• Clase B3 optimizados para conmutación de 10-30 kHz
• Clase C3 optimizados para conmutación de 20-60 kHz
• Diodo opcional contra paralelo ultrarrápido
• Paquetes estándar internacionales
• RBSOA cuadrada
• Avalancha nominal
• Alta capacidad contra cortocircuitos
• Capacidad de corriente alta

• Inversores de potencia
• UPS
• Fuente de alimentación conmutada (SMPS)
• PFC
• Cargadores de baterías
• Soldadoras
• Balastos de lámparas
• Impulsores de motor