MOSFET de potencia de unión máxima de clase X4, de canal N, de 150 V

IXYS, ahora parte de Littelfuse, presenta un dispositivo semiconductor de potencia desarrollado utilizando un principio de compensación de carga y tecnología de proceso patentada, lo que da como resultado un MOSFET de potencia que reduce significativamente la resistencia en estado encendido [R_DS(ON)] y carga de compuerta (Q_g). Una resistencia baja en estado encendido reduce las pérdidas de conducción y disminuye la energía almacenada en la capacitancia de salida, lo que minimiza las pérdidas de conmutación. Una Q_g baja da como resultado una mayor eficiencia en cargas ligeras, así como también requisitos de accionamiento de compuerta más bajos. Además, estos MOSFET tienen clasificación de avalancha y exhiben un rendimiento superior de dv/dt. Gracias al coeficiente de temperatura positivo de su resistencia en estado encendido, se pueden operar en paralelo para cumplir con los requisitos de corriente más altos.