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MOSFET SiC y controlador IGBT de 9 A de salida pico: IX4351NE
El IXYS354NE de IXYS, a Littelfuse technology tiene características de protección que incluyen UVLO y detección de apagado térmico.
IXYS, a Littelfuse technology ha diseñado un controlador para trabajar específicamente con los MOSFET de SiC y los IGBT de alta potencia. Las salidas separadas de fuente y disipador de 9 A permiten temporización de encendido y apagado a la vez que minimizan las pérdidas de conmutación. Un regulador interno de carga negativa proporciona una polarización de accionamiento de puerta negativa seleccionable para una mejor inmunidad dv/dt y un apagado más rápido.
Características
- Fuente pico separada de 9 A y salidas de disipador
- Rango de voltaje de funcionamiento: -10 V a +25 V
- Regulador interno de bomba de carga negativa para polarización de accionamiento de puerta negativa seleccionable
- Detección de desaturación con controlador de disipador de apagado suave
- Entradas compatibles con TTL/CMOS
- Bloqueo de subvoltaje (UVLO)
- Apagado térmico
- Salida de FALLA de drenaje abierto
SiC MOSFET and IGBT Driver 9 A Peak Output – IX4351NE
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IX4351NE | IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC | 1066 - Inmediata | $2.57 | Ver detalles |
Evaluation Board
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Función | Integradas | Atributos primarios | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IX4351-EVAL | EVAL BOARD FOR IX4351 | Controlador de compuerta | - | Aislado | 0 - Inmediata | $130.93 | Ver detalles |
Actualizado: 2020-06-03
Publicado: 2020-01-17
España