Controlador de MOSFET de lado bajo (SiC) de 9 A y transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) IX4352NE

El controlador de puerta IX4352NE de IXYS, una tecnología de Littelfuse, está diseñado específicamente para controlar MOSFET de SiC y transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia. Las salidas separadas de fuente y disipador de 9 A permiten temporización de encendido y apagado a la vez que minimizan las pérdidas de conmutación. Un regulador interno de carga negativa proporciona una polarización de accionamiento de puerta negativa seleccionable para una mejor inmunidad dv/dt y un apagado más rápido.

El circuito de detección de desaturación detecta una condición de sobrecorriente del MOSFET de SiC e inicia una desconexión suave, evitando así un evento dV/dt potencialmente dañino. La entrada lógica no inversora, IN, es compatible con TTL y CMOS; los desfasadores de nivel internos proporcionan la polarización necesaria para acomodar voltajes de polarización de accionamiento de puerta negativos. Características adicionales de protección incluyen detección de bloqueo por subtensión (UVLO) y apagado térmico. Una salida de drenaje abierto de FALLO señala una condición de fallo al microcontrolador.