MOSFET de modo de agotamiento de canal N de la serie CPC3981Z

El MOSFET de voltaje de bloqueo de 800 V CPC3981Z de IXYS en un encapsulado SOT-223-2L tiene una distancia de fuga mínima de 3.3 mm

Imagen del MOSFET de modo de agotamiento de canal N de la serie CPC3981Z de IXYS, a Littelfuse TechnologyEl MOSFET CPC3981Z de IXYS, una empresa de Littelfuse Technology, proporciona una función de interruptor cerrado cuando no hay alimentación, como durante el encendido de un circuito o los cortes de alimentación, que pueden suponer un reto. Los MOSFET de modo de agotamiento con canal N son dispositivos normalmente encendidos que se apagan aplicando una tensión puerta-fuente negativa. El CPC3981Z es un MOSFET único de modo de agotamiento de canal N de voltaje de bloqueo de 800 V en un encapsulado SOT-223-2L con una distancia de fuga mínima de 3.3 mm.

Beneficios
  • Gestión térmica más sencilla
  • Disposición compacta en suministros de voltaje de entrada amplios
  • Gestión simplificada del aislamiento
  • Menor pérdida de potencia
  • Voltaje disruptivo de 800 V
  • Resistencia en estado encendido de 45 Ω
  • Impedancia de entrada alta
  • VGS(OFF): -1.4 V a -3.1 V
  • TJ (máx.) +150°ºC
Aplicaciones
  • Interruptores normalmente abiertos
  • Relés de estado sólido
  • Convertidores
  • Telecomunicaciones
  • Fuentes de alimentación
  • Reguladores de corriente

CPC3981Z Series N-Channel Depletion Mode MOSFET

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET N-CH DEP 800V 45OH SOT223CPC3981ZTRMOSFET N-CH DEP 800V 45OH SOT2230 - Inmediata$2.15Ver detalles
Publicado: 2024-01-10