ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

DDR3 SDRAM

ISSI ofrece su SDRAM DDR3 con hasta 2133 Mbps de velocidad de datos.

Imagen de DDR3 SDRAM de ISSICon una de las ofertas más amplias de productos DRAM en la industria, ISSI ofrece una solución de alta calidad para una variedad de aplicaciones. El flujo estándar de ISSI incluye 100% prueba de temperatura en caliente, frío y de quemado. Su compromiso de apoyo a largo plazo de productos DRAM los hace hace ideales en el sector automotriz, industrial, médico y de comunicaciones, donde la longevidad es clave. La cartera DRAM de ISSI incluye EDO/FP, SDR, DDR, DDR2, móvil SDR, DDR móvil, RLDRAM® memoria de 2/3 y ahora DDR3.

Características
  • Estroboscópico de diferencial de datos bidireccional
  • Datos de enmascaramiento por byte en comandos de escritura
  • Longitudes de ráfaga programables de lectura o escritura de cuatro u ocho
  • Latencia CAS programable
  • Modos de actualización automática y de autoreajuste
  • OCD (ajuste de controlador)
  • Con soporte ODT (terminación sobre chip)
  • Nivelación de escritura
  • Paquetes: BGA de 96 bolas para x16, BGA de 78 bolas para x8
  • Soporte a largo plazo
Aplicaciones
  • Telecomunicaciones y redes
    • Nodos de acceso
    • Nodos de agregación
    • Conmutadores y enrutadores
    • Transporte óptico de paquetes
    • Almacenamiento en red [PON OLT, DSLAM, CMTS, inalámbrica]
  • Aplicaciones automotrices
    • Infoentretenimiento
    • Telemática
    • Sistemas de información al conductor
  • Industrial
    • Interfaz hombre/máquina
    • Informática integrada

DDR3 SDRAM

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónOrganización de la memoriaInterfaz de memoriaVoltaje de la fuenteCantidad disponiblePrecioVer detalles
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16128BL-125KBLIC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA128M x 16Paralelo1.283V ~ 1.45V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16256AL-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA256M x 16Paralelo1.283V ~ 1.45V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512AL-125KBLIIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16Paralelo1.283V ~ 1.45V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16Paralelo1.283V ~ 1.45V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGAIS43TR16128B-15HBLIC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA128M x 16Paralelo1.425V ~ 1.575V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120A-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8Paralelo1.425V ~ 1.575V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512A-125KBLIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16Paralelo1.425V ~ 1.575V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640B-125JBLIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16Paralelo1.425V ~ 1.575V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280B-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8Paralelo1.425V ~ 1.575V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8Paralelo1.283V ~ 1.45V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGAIS43TR16128BL-15HBLIC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA128M x 16Paralelo1.283V ~ 1.45V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640BL-125JBLIIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16Paralelo1.283V ~ 1.45V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR82560B-125KBLIIC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA256M x 8Paralelo1.425V ~ 1.575V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120A-125KBLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8Paralelo1.425V ~ 1.575V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120AL-125KBLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8Paralelo1.283V ~ 1.45V0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
Publicado: 2017-05-16

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