DDR2 SDRAM para aplicaciones industriales y de prueba extendida

La NDB16P es una DRAM síncrona CMOS DDR2 de alta velocidad revisada con el flujo de prueba extendido patentado de Insignis para mitigar las fallas en la vida temprana, lo que asegura calidad superior y confiabilidad a largo plazo para uso industrial. Estos dispositivos están diseñados para cumplir con las características clave de DDR2 DRAM, como el número CAS publicado con latencia aditiva, latencia de escritura = latencia de lectura -1 y terminación en matriz (ODT).

Todas las entradas de control y dirección están sincronizadas con un par de relojes diferenciales suministrados externamente. Las entradas se bloquean en el punto de cruce de los relojes diferenciales (CK en subida y CK# en bajada). Todas las E/S se sincronizan con un par de estroboscópicos bidireccionales (DQS y DQS#) de forma síncrona de origen.

El funcionamiento de los bancos de memoria de forma intercalada permite que la operación de acceso aleatorio se produzca a una velocidad superior a la posible con las DRAM estándar. Es posible habilitar una función de precarga automática para brindar una precarga de fila autotemporizada que se inicia al final de una secuencia de ráfaga. Es posible una velocidad de datos secuencial y sin intervalos según la longitud de la ráfaga, la latencia CAS y el grado de velocidad del dispositivo.