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MOSFET de potencia para carga inalámbricaEl mercado de carga inalámbrica se encuentra dominado por dos estándares: inductivo (Qi) y resonante (resonant AirFuel). Infineon ofrece (soluciones) MOSFET de potencia para ambos estándares y es un miembro activo de las principales alianzas de carga: Wireless Power Consortium (WPC) y AirFuel. ¿Qué significa carga inalámbrica?La carga inalámbrica utiliza campos electromagnéticos para transferir potencia desde un transmisor hacia una aplicación del receptor para cargar la batería. Esto elimina la necesidad de conectores físicos y cables para transferir potencia, uno de los muchos beneficios de esta tecnología. ¿Por qué utilizar carga inalámbrica?En comparación con las soluciones conectadas con cable, la carga inalámbrica ofrece muchos beneficios. Ya hemos mencionado que elimina la necesidad de utilizar conectores y cables; además, mejora la confiabilidad en ambientes adversos debido a la menor cantidad de puntos de entrada para polvo, agua, etc. Otras ventajas de la carga inalámbrica son la seguridad mejorada, que ya no se necesiten diferentes clavijas de conexión para los diferentes dispositivos, la posibilidad de cargar varios dispositivos a la vez y la carga sencilla en lugares públicos, solo por mencionar algunas. Puente medio BSZ0909ND de OptiMOS™Solución optimizada de Infineon para potencia y unidades inalámbricas
El BSZ0909ND se adapta perfectamente a arquitecturas de carga o unidades inalámbricas (p. ej., drones y multicópteros) en las que los diseñadores tienen la intención de simplificar el diseño y ahorrar espacio significativo sin poner en riesgo la eficiencia. La tecnología OptiMOS™ en combinación con el paquete PQFN 3x3 ofrece una solución optimizada para aplicaciones CC/CC con requisitos críticos de espacio. Además, el BSZ0909ND es un producto líder en la industria cuando se trata de conmutación rápida. Cuenta con un coeficiente de calidad optimizado para RDS (on) de horas de carga de compuerta (Qg*RDS (on)) para alcanzar pérdidas de conmutación y de conducción bajas a 6.78 MHz.
IR MOSFET™: IRL60HS118 e IRL80HS120Solución optimizada de Infineon para potencia y unidades inalámbricas
Los MOSFET de potencia de nivel lógico IRL60HS118 e IRL80HS120 de IR MOSFET™ de Infineon son muy adecuados para las aplicaciones de carga inalámbrica. El paquete 2 x 2 de PQFN es ideal para las aplicaciones críticas de conmutación de alta velocidad y factor de forma, lo que permite una densidad de alta potencia y mayor eficiencia, así como un ahorro significativo de espacio. La carga de compuerta baja Qg reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. A pesar de la carga de compuerta baja, los productos de nivel lógico alcanzan un RDS(on) más bajo en comparación con las siguientes mejores alternativas. Los mejores factores de mérito (FoM) permiten el funcionamiento a frecuencias de conmutación altas. Además, el controlador de nivel lógico proporciona un voltaje de umbral de compuerta baja VGS(th), lo que permite que el MOSFET sea impulsado a 5 V y directamente desde los microcontroladores.
Resonant AirFuel (A4WP)El estándar Resonant AirFuel (A4WP) se utiliza para suministrar energía, normalmente para la carga inalámbrica, y sigue el principio de resonancia magnética que utiliza una frecuencia relativamente alta de 6.78 MHz. Para las implementaciones de conmutación de MHz, Infineon ha lanzado un Dual-MOSFET en 30 V (BSZ0909) para diseños resonantes de inversores clase D.
Además de nuestro Dual-MOSFET superior en 30 V, contamos con una gran cantidad de piezas disponibles para diseños resonantes de Clase D y Clase E.
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