MOSFET de potencia para uso automotriz OptiMOS™ 7

El MOSFET de uso automotriz OptiMOS 7 de Infineon Technologies es la tecnología MOSFET de nueva generación para aplicaciones automotrices. Ofrece una excelente eficiencia energética, pérdidas de conmutación reducidas y una mayor fiabilidad para aplicaciones de alta corriente en paquetes compactos.

Infineon OptiMOS 7 proporciona una tecnología MOSFET que establece un estándar de eficiencia energética, fiabilidad y diseño compacto. Esta innovadora solución está diseñada para satisfacer los exigentes requisitos de las aplicaciones automotrices, permitiendo el desarrollo de vehículos más eficientes, sostenibles y potentes. Los innovadores y robustos paquetes de esta tecnología ocupan un espacio increíblemente reducido, por lo que resultan ideales para una amplia gama de sistemas automotrices, desde cadenas cinemáticas eléctricas hasta sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS).

Al aprovechar las capacidades de vanguardia de OptiMOS 7, los fabricantes de automóviles pueden crear vehículos más eficientes, ecológicos y rentables que satisfagan las necesidades cambiantes del sector. OptiMOS 7 está preparada para desempeñar un papel fundamental en la configuración del futuro del sector del sector automotriz, ya se trate de vehículos eléctricos o híbridos, o de sistemas de conducción autónoma.

Características

• Su inigualable eficiencia energética permite desarrollar vehículos más eficientes y sostenibles, reduciendo el consumo de energía y las emisiones.
• Las menores pérdidas de conmutación minimizan el derroche de energía, reducen la generación de calor y aumentan la fiabilidad general del sistema.
• El aumento del área de funcionamiento seguro (SOA) para aplicaciones de alta corriente permite diseñar sistemas más robustos y fiables, incluso en aplicaciones exigentes de alta corriente.
• Los innovadores y robustos paquetes de reducidas dimensiones permiten diseñar sistemas compactos, reducir las necesidades de espacio y aumentar la flexibilidad de diseño.
• Su excelente R_DS(ON) de 0,39 mΩ proporciona una resistencia en estado encendido ultrabaja, lo que se traduce en una reducción de las pérdidas de energía y un aumento de la eficiencia del sistema.