Infineon Technologies

Transistores de potencia GaN

Los dispositivos CoolGaN™ de Infineon, altamente eficientes y normalmente apagados, permiten alcanzar un nuevo nivel de densidad de potencia.

Imagen de los transistores de potencia de GaN de Infineon Los transistores CoolGaN de Infineon cuentan con velocidades de encendido y apagado rápidas, pérdidas de conmutación mínimas y una amplia variedad de opciones de paquetes. Cumpliendo con criterios rigurosos, CoolGaN supera los estándares de la industria y mejora significativamente el rendimiento general del sistema, al mismo tiempo que minimiza los costes del sistema y aumenta la facilidad de uso.

Características
  • Transistores de modo electrónico de 60 V a 120 V
  • Opciones de paquete refrigerado de doble lado y de la parte inferior
  • Sin cargo de recuperación inversa
  • Capacidad de conducción inversa
  • Baja carga de puerta, baja carga de salida
  • Calificado más allá de los estándares JEDEC
Beneficios
  • Densidad de potencia excepcional
  • La mayor eficiencia
  • Gestión térmica mejorada
  • Excelente confiabilidad
  • Reducción del costo de la lista de materiales
  • Corto tiempo de comercialización con placas de referencia listas para usar
Aplicaciones
  • Amplificadores de audio
  • Herramientas a batería
  • Drones
  • Aplicaciones fotovoltaicas
  • Robótica
  • Fuente de alimentación conmutada (SMPS)
  • Infraestructura de telecomunicaciones
  • Adaptadores y cargadores USB-C®
Contenidos adicionales

GaN Power Transistors

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Publicado: 2025-07-22

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Fecha de publicación: 2025-06-25