MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de 200 V

Los MOSFET OptiMOS 6 200 V de Infineon responden a la necesidad de alta densidad de potencia, eficiencia y fiabilidad ofreciendo una reducción del R_DS(on) del 42 % a temperatura ambiente y de hasta el 53 % a +175 °C en comparación con la generación anterior. La reducción de Q_rr y la mejora de la linealización de la capacitancia permiten mejorar el rendimiento de los interruptores. En efecto, las pérdidas por conducción y conmutación pueden reducirse sin comprometer la EMI (interferencia electromagnética). La tecnología presenta un área de funcionamiento seguro (SOA) mejorada para aumentar el manejo de la corriente del MOSFET en aplicaciones de interruptores de protección. Al mismo tiempo, las optimizaciones de diseño y la precisión de producción hacen de esta tecnología fiable y de alto rendimiento la elección ideal para el paralelismo. Existen varias opciones de encapsulado, como PQFN 3.3 x 3.3, SuperSO8, D²PAK 3-pin, D²PAK 7-pin, TO sin conductor y TO-220. En comparación con la tecnología anterior, OptiMOS 6 ofrece importantes ventajas de rendimiento, como bajas pérdidas de conducción y conmutación, EMI mejorada, menor necesidad de paralelización y mejor reparto de la corriente en paralelo.

El módulo de placa de potencia KIT_LGPWR_BOM015, que utiliza el MOSFET de potencia OptiMOS 6 de 200 V en el encapsulado D²PAK, representa el bloque de construcción de potencia de la plataforma de placa de demostración de potencia escalable de baja tensión (LVD). Funciona como un único medio puente con interconexiones de alimentación y accionamiento de puerta, lo que facilita la creación de cualquier topología de alimentación basada en medio puente.

Las variaciones de la placa de potencia que emplean la familia de MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon en los encapsulados D²PAK, D²PAK-7 y TO sin conductor demuestran el rendimiento del MOSFET de potencia en términos de paralelización y comportamiento térmico.