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MOSFET PowerTrench® FDMS86181

onsemi ofrece una mayor eficiencia y menor ruido de conmutación para EMI mejorada y desempeño térmico con su MOSFET FDMS86181.

Imagen de MOSFET PowerTrench® FDMS86181 de Fairchildonsemi ha colaborado en el desarrollo de MOSFET desde los años 90 y desde entonces han perfeccionado la tecnología y fabricación de MOSFET para desarrollar una amplia cartera de miles de productos para cualqueir tipo de aplicación.

Los MOSFET PowerTrench de compuerta blindada de 100 V avanzados FDMS86181 de onsemi son el último de esta familia rica con lo que actualmente ofrece la más baja RRDS (ON) y Qrr en su clase y más rápida recuperación inversa al tiempo que ofrece la mayor eficiencia. FDMS86181 no tiene poco o ningún voltaje en exceso, reduce la tensión de llamada y mejora la EMI para aplicaciones que requieren un MOSFET de 100 V para fuentes de alimentación y unidades de motor. Su densidad de energía mayor permite mayor disminución de potencia de MOSFET por lo que los diseñadores no se ven obligados a realizar diseños excesivos.

FDMS86181 es el primero de una familia con varias opciones de voltaje y de paquete disponible muy pronto.

Características
  • Reducción del 50% en Qrr que minimiza el sonido y elimina amortiguadores - inferiores a su mejor competidor
  • Reducción del 40% en RRDS (ON) que mejora la eficiencia - haciéndolo el dispositivo de corriente más baja de la industria en clase 100 V (una reducción sobre la versión anterior de onsemi, que era una de las mejores en la industria)
  • 45% menos Irrm lo cual reduce la EMI
  • Mejor FOM para conmutación eficiente y rápida
  • Tecnología mejor en su clase de canales P y N
  • Temperaturas de funcionamiento

FDMS86181 PowerTrench MOSFET

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFNFDMS86181MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN5704 - Inmediata$2.99Ver detalles
Publicado: 2016-03-22

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