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uP1966E: controlador de compuerta de medio puente de 80 V para transistores de efecto de campo (FET) de GaN
EPC y uPI Semiconductor se asocian para ofrecer soluciones GaN con uP1966 para una comercialización rápida y rentable de diseños basados en GaN
El uP1966E, comercializado por EPC, está diseñado para accionar FET de GaN de lado alto y lado bajo en topologías de medio puente, y funciona a varios MHz en ambos canales. Este rendimiento de alta velocidad garantiza un funcionamiento eficaz y fiable, por lo que resulta ideal para aplicaciones que requieren una conmutación rápida.
Características
- Resistencia pull-down/pull-up de 0.4 Ω/0.7 Ω
- Retardos de propagación rápidos (20 ns típico)
- Tiempos de subida y bajada rápidos (8 ns/4 ns, típico)
- Salida ajustable para la capacidad de encendido/apagado
- Lógica de entrada compatible con CMOS (independiente de la tensión de alimentación)
- Bloqueo por subtensión en la entrada de alimentación
Aplicaciones
- Convertidores de CC/CC
- Centros de datos
- Servidores de IA
- Rectificación sincrónica para CA/CC y CC/CC
- Convertidores de punto de carga
- Audio clase D
- Iluminación LED
uP1966E 80 V Half Bridge Gate Driver for GaN FETs
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | UP1966E | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP | 219740 - Inmediata | $1.97 | Ver detalles |
Publicado: 2024-10-08
España