Manual de Potencia Inalámbrica de GaN 2ª edición

Desde que Nikola Tesla experimentó por primera vez con la energía inalámbrica, siempre se ha intentado "cortar el cable" de corriente eléctrica y pasarse a lo inalámbrico. Ahora, más de 100 años más tarde, la capacidad tecnológica para lograr la visión de Tesla está aquí.

La transferencia de energía inalámbrica altamente resonante, basada en la generación de campos magnéticos, ha demostrado ser un camino viable. Los campos magnéticos son considerados seguros y ofrecen otros requisitos necesarios, tales como la facilidad de uso y la robustez.

Un desafío importante para la aplicación de energía inalámbrica es el diseño del amplificador. De los resultados experimentales del Manual de Potencia Inalámbrica de EPC, queda claro que la topología de clase D de ZVS, dotada de transistores de energía de eGaN^® proporciona la mejor solución. Con su baja capacitancia, cero recuperación inversa y baja resistencia, los FET eGaN garantizan bajas pérdidas de funcionamiento conducentes a una mayor eficiencia del amplificador y ayudan a mantener baja la generación de EMI. Estos dispositivos tienen un tamaño muy reducido y bajo perfil, lo cual es importante para aplicaciones móviles y médicas.

El objetivo de este manual es comprender los múltiples desafíos al diseño de un amplificador de energía inalámbrico, tales como los sistemas multimodales con radiaciones EMI y las formas para mejorar la eficiencia.