FET de GaN de 40 V y 2.25 mΩ de la serie EPC2069

El EPC2069 de EPC es un FET de GaN de 40 V, 2.25 mΩ y 422 A de corriente pulsada que ofrece un dispositivo significativamente más pequeño y eficiente que los MOSFET de silicio para aplicaciones de alto rendimiento y espacio limitado. Este FET de GaN es ideal para aplicaciones con requisitos exigentes de rendimiento de alta densidad de potencia, como los servidores de entrada de 48 V a 54 V. Las cargas de puerta más bajas y las pérdidas de recuperación inversa nulas permiten un funcionamiento a alta frecuencia de 1 MHz y superior, con una alta eficiencia en un espacio reducido de 10.6 mm² para una densidad de potencia de vanguardia. El EPC2069 admite soluciones de 48 V a 12 V_CC/CC que van desde 500 W a 2 kW y superan el 98 % de eficiencia. El uso de dispositivos eGaN tanto en el lado primario como en el secundario es necesario para alcanzar una densidad de potencia máxima >4,000 W/pulg³.