FET eGaN de las series EPC2033/EPC2034 de 150 V y 200 V

EPC2033 y EPC2034 amplían la familia de EPC de dispositivos "de paso relajado" con un espacio de bola de 1 mm. El paso más amplio permite colocar vías adicionales y más grandes debajo del dispositivo para permitir una alta capacidad de transporte de corriente a pesar de que su huella es extremadamente pequeña (2.6 mm x 4.6 mm).Tienen una temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C y corrientes pulsadas de 200 A (EPC2034 de 150 V) y 140 A (EPC2033).

En comparación con un MOSFET de potencia de silicio de vanguardia con resistencia en estado encendido similar, estos productos son mucho más pequeños y tienen un rendimiento de conmutación superior. Son ideales para convertidores CC-CC de alta frecuencia, rectificación síncrona en convertidores CC/CC y CA/CC, impulsores del motor y audio clase D.

Para simplificar el proceso de evaluación de los FET eGaN de alto rendimiento, la placa de desarrollo EPC9047 puede admitir una evaluación de rendimiento fácil "en el circuito" del EPC2033.Esta placa incluye todos los componentes críticos que pueden conectarse fácilmente en cualquier conversor existente.

El EPC9047 es en una topología de medio puente que mide 2" x 1.5". Contiene dos FET eGaN EPC2033 que utilizan el controlador de compuerta UCC27611 de Texas Instruments, así como condensadores de suministro y derivación. La placa contiene todos los componentes fundamentales y la disposición para un rendimiento conmutado óptimo y tiene varios puntos de sondeo para facilitar la medición de la forma de onda simple y el cálculo de eficiencia.