Diodos Schottky en paquetes CSP y DFN

Diodes anuncia una gama de diodos Schottky en paquetes minúsculos CSP y DFN. Estos pequeños paquetes facilitan diversas aplicaciones, tales como bloqueo, exceso de tensión eléctrica y diodos boost-strap, en muchos productos alimentados con batería, como dispositivos portátiles con IoT, teléfonos inteligentes y auriculares de realidad virtual/aumentada. Muchos de estos diodos Schottky en paquetes CSP y DFN también cumplen con los estándares AEC-Q101 y son compatibles con el proceso PPAP.

Características

• Paquetes minúsculos y sólidos
  • Estos paquetes de montaje en superficie, con huella pequeña y perfil ultrabajo permiten factores de forma compactos de adopción de sistemas de extremo. La liberación de los cables de enlace dentro del paquete CSP y la compatibilidad con PPAP garantizan la fiabilidad a largo plazo.
• Voltaje directo bajo
  • Con la máxima tensión directa (VF) de tan solo 0.35 V, estos diodos Schottky en paquetes CSP/DFN permiten que se produzcan pérdidas de conducción muy bajas. Esto se traduce en menores temperaturas de funcionamiento y una excelente confiabilidad a largo plazo.
• Baja corriente de fuga
  • La baja corriente de fuga (IR) se traduce en baja temperatura ambiente cuando el sistema está en modo de espera. En sistemas alimentados con baterías, se amplía significativamente el tiempo de espera.
• Amplia gama de tensiones de ruptura inversa y corrientes de salida
  • Estos dispositivos ofrecen una amplia gama de voltajes disruptivos inversos (VBR_MIN = 20 V y 70 V) y corrientes de salida (IO_MAX = 70 mA a 2 A), por lo que se cumple la expectativa de muchas aplicaciones con requerimientos exigentes.