Transistores bipolares de las series DXTN/P 78Q and 80Q

Series DXTN/P 78Q y 80Q de transistores bipolares NPN y PNP de VCE(sat) ultrabajo compatibles con uso automotriz de Diodes Incorporated.

Los doce dispositivos, que cubren las especificaciones de 30 V, 60 V y 100 V, ofrecen una eficiencia excepcional en conducción y rendimiento térmico para la exigente conmutación y control de potencia en automóviles.

Adecuados para sistemas de 12 V, 24 V y 48 V, soportan aplicaciones como la conducción de puertas MOSFET e IGBT, conmutación de carga, regulación LDO, conversión de CC/CC y control de motores y actuadores. Con una capacidad nominal de +175 °C y alta robustez ESD (HBM 4 kV, CDM 1 kV), aseguran un funcionamiento fiable en entornos hostiles.

El compacto paquete PowerDI®3333-8 (3.3 mm x 3.3  mm) reduce el espacio de la placa de CI hasta en un 75 % frente al SOT223 y ofrece una resistencia térmica ultrabaja (4.2 °C/W).

La tecnología de placas de pared lateral (SWP) mejora la visibilidad AOI y la resistencia de la unión soldada para una fabricación eficiente y fiable.

Con BVCEO de hasta 100 V, corriente continua hasta 10 A (pico de 20 A) y voltaje de saturación de tan solo 17 mV, estos transistores minimizan las pérdidas de conducción hasta en un 50 %, lo que permite diseños más fríos y eficientes.