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MOSFET automotriz PowerDI 8080 de 100 V serie DMTHxxxxSPGWQ
Los MOSFET automotrices de Diodes se dirigen a motores BLDC y convertidores CC/CC de alta potencia.
Diodes amplía su cartera de MOSFET empaquetados PowerDI8080-5 térmicamente eficientes con el MOSFET de 100 V, de RDS(ON) ultrabajo y compatible con el sector automotriz, junto con los MOSFET de 40 V a 80 V nominales. La cartera está dirigida a motores BLDC de alta potencia y convertidores CC/CC en vehículos con motor de combustión interna, eléctricos e híbridos.
Aplicaciones como los interruptores de desconexión de baterías, los cargadores de a bordo y las aplicaciones de accionamiento de motores BLDC de 48 V de alta potencia pueden reducir las pérdidas de conducción y maximizar la eficiencia aprovechando la resistencia de encendido de drenaje-fuente máxima de 1,5 mΩ del MOSFET DMTH10H1M7SPGWQ con clasificación de 100 V.
El MOSFET de 40 V con encapsulado de ala de gaviota DMTH4M40SPGWQ tiene un máximo de 0,4 mΩ. RDS(ON), una de las más bajas del sector. Es ideal para motores BLDC de 12 V y aplicaciones CC/CC. El MTH6M70SPGWQ de 60 V ofrece un alto rendimiento para aplicaciones de 24 V.
El encapsulado PowerDI8080-5 tiene una huella en la placa de circuito impreso de 64 mm2, lo que supone 40% menos que la ocupada por el formato de encapsulado TO-263. También tiene un perfil externo de 1,7 mm, que es 63% más bajo que el del TO-263 (D2PAK).
La unión por clip de cobre entre la matriz y los terminales facilita una baja resistencia térmica entre la unión y la carcasa de tan sólo 0,3 °C/W, lo que permite a PowerDI8080-5 manejar corrientes de hasta 847 A y ofrecer una densidad de potencia ocho veces superior a la del encapsulado TO-263.
También existen versiones que cumplen con estándares y son adecuadas para aplicaciones industriales y comerciales.
- La huella de la placa de circuito impreso PowerDI8080-5 de 64 mm2 ocupa sólo 40% del área de la placa de circuito impreso TO-263, lo que facilita diseños de mayor densidad de potencia
- Baja inductancia del paquete; el diseño en clip reduce la inductancia parásita y la EMI.
- Las guías de alas de gaviota permiten la inspección visual mediante AOI y mejoran la fiabilidad de los ciclos de alta temperatura.
- Aproveche el RDS(ON) líder del sector para reducir las pérdidas en estado encendido y maximizar la eficiencia en los sistemas automotrices que consumen mucha energía.
- La RDS(ON) ultrabaja maximiza la eficiencia con una resistencia de encendido de 1,5 mΩ.
- RthJC tan bajo como +0,3°C/W permite manejar corrientes tan altas como 847 A.
DMTHxxxxSPGWQ 100 V PowerDI 8080 Automotive MOSFET
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | DMTH6M70SPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI808 | 1926 - Inmediata | $5.39 | Ver detalles |
| | DMTH81M2SPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80 | 1920 - Inmediata 6000 - Stock en fábrica | $5.54 | Ver detalles |
| | DMTH4M40LPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808 | 0 - Inmediata 6000 - Stock en fábrica | $1.77 | Ver detalles |
| | DMTH4M40SPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808 | 0 - Inmediata 4000 - Stock en fábrica | $2.18 | Ver detalles |
| | DMTH4M72SPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808 | 0 - Inmediata | $3.74 | Ver detalles |
| | DMTH10H1M7SPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80 | 0 - Inmediata | $1.83 | Ver detalles |
