Puentes H de MOSFET DMHC3025LSD y DMHC4035LSD

La extensa familia de puentes H de MOSFET dedicados de Diodes Incorporated reduce el espacio en placa en un 50%.

Imagen de Puentes H de MOSFET DMHC3025LSD y DMHC4035LSD de DiodesDiodes Incorporated ha ampliado su familia de puentes H de MOSFET dedicados con los dispositivos DMHC3025LSD y DMHC4035LSD. Estos componentes están diseñados para la impulsión de motor monofásico con y sin escobillas de espacio limitado y para circuitos inductivos inalámbricos de carga.

Estos MOSFET de voltaje nominal de 30 V y 40 V tienen bajo rendimiento RDS(ON) lo cual les permite operar bajo una temperatura ambiente alta de 70° C, mientras que todavía admiten corrientes continuas de 3 A y 2 A respectivamente, de tal modo adecuándose a las peores condiciones de corrientes de detención del motor.

Características
    • Reducen el espacio en placa
      • Usando un paquete SO8 simple, con huella de 5 mm x 6 mm, estos puentes H pueden ahorrar espacio en placa de CI, reducir el conteo de componente y los costos de montaje.
    • Bajo RDS(ON)
      • Con < 50 m y minimiza las pérdidas de conducción, lo cual permite a los puentes H tolerar condiciones de corriente alta continua bajo condiciones de parada del motor.
    • Alta corriente pulsante
      • Capacidad de pulso pico de 30 A que le permite alcanzar una alta corriente de irrupción con seguridad durante el arranque de la carga inductiva
    • Voltaje máximo de drenaje
      • 40 V y 30 V VDSS proporcionan espacio suficiente para los voltajes de riel previstos de 24 V y 12 V VCC.
Aplicaciones
  • Controladores de motor CC
  • Inversores CC-CA

DMHC3025LSD and DMHC4035LSD MOSFET H-Bridges

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecio
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SODMHC3025LSD-13MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO19178 - Inmediata$1.27Ver detalles
MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SODMHC4035LSD-13MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO0 - Inmediata$1.39Ver detalles
Publicado: 2015-02-24