Soluciones de memoria de alto rendimiento

Con más de 40 años de experiencia en semiconductores discretos de memoria, Infineon lidera el sector con los mejores productos de memoria para aplicaciones automotrices, industriales, de consumo y de comunicaciones. Infineon introdujo su primera memoria de acceso aleatorio en 1982 y ha crecido desde ese auspicioso comienzo hasta desarrollar una amplia gama de productos que abarcan NOR Flash, pSRAM, SRAM, nvSRAM y F-RAM. Con una calidad inigualable y acuerdos de suministro a largo plazo, así como un fuerte compromiso de inversión futura en nuevas tecnologías, las soluciones de memoria de Infineon seguirán liderando el sector en las próximas décadas.

La cartera diferenciada de memorias volátiles y no volátiles presenta:

  • Familia SEMPER™ de NOR Flash seguras y fiables
  • Familia EXCELON™ de productos de consumo ultrabajo, de alto rendimiento y fiables F-RAM
  • NOR Flash HYPERFLASH™ basado en interfaz HYPERBUS™
  • Memorias pSRAM HYPERRAM™
  • NOR Flash
  • F-RAM
  • nvSRAM
  • SRAM
  • pSRAM

NOR Flash

Los productos NOR Flash de Infineon están meticulosamente diseñados para garantizar los más altos niveles de seguridad y fiabilidad. El programa de longevidad ofrece garantías de continuidad del suministro a largo plazo, complementadas con una política de cero defectos para una calidad excepcional. Dispone de un completo conjunto de herramientas de diseño y recursos de apoyo para agilizar el proceso de diseño y acelerar la salida al mercado. Con una amplia cartera adaptada a aplicaciones industriales, automotrices, de comunicaciones y de centros de datos, la memoria Flash NOR de Infineon proporciona una ventaja competitiva para un rendimiento fiable en todas las condiciones.

SEMPER™, la nueva generación de la familia NOR Flash de Infineon, está diseñada para la seguridad funcional, lo que garantiza que todos los sistemas vuelvan a un estado conocido y funcionen de forma fiable en todo momento. Cuando la confianza y la integridad son importantes, los dispositivos seguros SEMPER™ añaden una raíz de confianza de hardware y un motor criptográfico para permitir el acceso autenticado, la verificación remota de identidad y las actualizaciones OTA seguras con seguridad de nube a chip. Para dispositivos de vestir y otros diminutos dispositivos alimentados por batería, SEMPER™ Nano ofrece el factor de forma más pequeño y el menor consumo de potencia para maximizar la vida útil de las baterías.

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Productos NOR Flash

Características principales

  • Almacenamiento no volátil desde 64 Mb hasta 4 Gb
  • Interfaces serial y paralela de alto rendimiento
  • La seguridad funcional integrada cumple con ASIL-D
  • Hasta 2.56 millones de ciclos de programación/borrado de resistencia
  • Retención de datos durante 25 años
  • Temperatura de funcionamiento de hasta +125 °C
  • Código de corrección de errores (ECC) de hardware en chip
  • eXecute-in-Place (XiP)

Beneficios

  • Permite arranque instantáneo con tasas de producción de lectura de hasta 400 MB/s y XiP
  • Almacena datos de forma fiable hasta 25 años, incluso en condiciones de funcionamiento adversas
  • Compatible con los SoC más populares del amplio ecosistema de socios del conjunto de chips
  • Garantiza un funcionamiento seguro y fiable con SafeBoot y comprobación de errores
  • Acelera el tiempo de lanzamiento al mercado con el SDK de SEMPER™ Solutions Hub
  • Garantiza el suministro del producto y una longevidad de más de 10 años
NOR Flash
Familia de productos Densidad Interfaz Voltaje Velocidad Aplicaciones objetivo
NOR Flash SEMPER™ 256 Mb -
4 Gb		 QSPI, Octal xSPI, HYPERBUS™ 1.8 V,
3.0 V		 Hasta 400 MB/s Robótica, automatización industrial y accionamientos, ADAS automotriz Funcionamiento crítico para la seguridad, alta velocidad, arranque rápido
Flash NOR SEMPER™ segura 128 Mb -
256 Mb		 1.8 V,
3.0 V		 Hasta 400 MB/s Redes, vigilancia, fábricas inteligentes, centros de datos arranque y almacenamiento seguros, transiciones seguras de extremo a extremo
SEMPER™ Nano 256 Mb QSPI 1.8 V Hasta 52 MB/s Hearables, dispositivos de vestir, sensores inteligentes, portátil uso médico compacto, fiable, baja potencia, ECC incorporada
HYPERFLASH™ 128 Mb -
512 Mb		 HYPERBUS™ 1.8 V,
3.0 V		 Hasta 333 MB/s HMI industrial, pantallas digitales, cuadros de instrumentos automotriz Instant-on, almacenamiento de imágenes y gráficos
NOR Flash serie estándar 64 Mb -
1 Gb		 QSPI, QSPI dual 1.8 V,
3.0 V		 Hasta 204 MB/s Industria, informática, comunicaciones y automotriz Código de arranque fiable y almacenamiento de datos
NOR Flash paralelo estándar 64 Mb -
2 Gb		 Modo de página de 16/8 bits 3.0 V Hasta 70 ns/15 ns Industrial, uso médico, aeroespacial y defensa Código de arranque fiable y almacenamiento de datos

F-RAM

La F-RAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FeRAM) es una memoria no volátil autónoma que permite a los diseñadores capturar y preservar instantáneamente datos críticos cuando se interrumpe la alimentación Son ideales para aplicaciones de misión crítica que requieren un registro de datos continuo y de baja potencia. Disponible en factores de forma compactos, las F-RAM ofrecen cero retardo en las escrituras, una resistencia prácticamente ilimitada y total tolerancia a las interferencias magnéticas sin comprometer la fiabilidad, el rendimiento y la eficiencia energética.

La familia F-RAM EXCELON™ de última generación de Infineon combina las corrientes de reposo más bajas de la industria con interfaces de alta velocidad, bajo número de pines, no volatilidad instantánea y resistencia ilimitada a ciclos de lectura/escritura, lo que garantiza una alta fiabilidad del sistema y un consumo de energía ultrabajo.

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Productos FRAM

Características principales

  • Almacenamiento no volátil de 4 Kb a 16 Mb
  • Interfaces serial y paralela de alto rendimiento
  • Escribir sin demora, que almacena datos en celdas de memoria a velocidad de bus
  • Resistencia de lectura/escritura de más de 1014 ciclos (100 billones)
  • Más de 10 años de retención de datos a +85 °C
  • Temperatura de funcionamiento de hasta +125 °C
  • Inmune a las interferencias de los campos magnéticos y a las radiaciones

Beneficios

  • Captura los datos del sistema instantáneamente en caso de pérdida de potencia
  • Registra datos continuamente durante toda la vida útil del sistema
  • Funciona con fiabilidad en entornos industriales adversos y automotrices
  • Consume 200 veces menos energía que las EEPROM y 3,000 veces menos que las NOR Flash
  • Simplifica el diseño del sistema sin la sobrecarga de firmware de nivelación de desgaste
  • Garantiza el suministro del producto y una longevidad de más de 10 años
F-RAM
Familia de productos Densidad Interfaz Voltaje Velocidad Aplicaciones objetivo
Ultra F-RAM EXCELON™ 2 Mb -
16 Mb		 QSPI 1.8 V,
3.0 V		 Hasta 108 MHz Automatización industrial y accionamientos, servidores empresariales y almacenamiento RAID, robótica
Auto F-RAM EXCELON™ 1 Mb -
16 Mb		 SPI/QSPI 1.8 V,
3.0 V		 Hasta 108 MHz EDR automotriz, cámara prospectiva, ADAS, infoentretenimiento, sistemas de gestión de batería
LP F-RAM EXCELON™ 2 Mb -
16 Mb		 Interfaz periférica serial (SPI) 1.8 V, 3.3 V Hasta 50 MHz Medidor inteligente, atención médica inteligente, dispositivos de vestir, sensores de IoT, inversores solares, MFP
F-RAM estándar 4 Kb -
4 Mb		 I²C, SPI, paralelo
(x8, x16)		 3.3 V,
5.0 V		 Hasta 40 MHz, hasta 60 ns Automatización industrial y accionamientos, medidor inteligente, automotriz, inversor solar, almacenamiento de energía

nvSRAM

La nvSRAM (SRAM no volátil) es una memoria no volátil independiente que almacena instantáneamente una copia de los datos del sistema en memoria no volátil en caso de pérdida de alimentación y permite acceder a los datos cuando se restablece la alimentación. La nvSRAM de Infineon combina la tecnología SRAM líder en la industria con la tecnología de memoria no volátil SONOS de clase mundial para ofrecer una cartera integral de memorias de registro de datos confiables y de alto rendimiento que eliminan la necesidad de baterías de respaldo o supercondensadores más grandes en los sistemas

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Productos nvSRAM

Características principales

  • Almacenamiento no volátil desde 64 Kb hasta 16 Mb
  • Interfaces serial y paralela de alto rendimiento
  • Solución de interfaz paralela con tiempos de acceso más rápidos de 20 ns
  • Resistencia infinita de lectura/escritura en la matriz SRAM
  • Más de 20 años de retención de datos a +85 °C
  • Reloj de tiempo real (RTC) opcional
  • Inmune a las interferencias de los campos magnéticos y a las radiaciones

Beneficios

  • Captura los datos del sistema instantáneamente en caso de pérdida de potencia
  • Registra datos continuamente durante toda la vida útil del sistema
  • Funciona con fiabilidad en entornos industriales adversos y automotrices
  • Elimina la necesidad de baterías o grandes supercondensadores
  • Simplifica el diseño del sistema sin la sobrecarga de firmware de nivelación de desgaste
  • Garantiza el suministro del producto y una longevidad de más de 10 años
nvSRAM
Familia de productos Densidad Interfaz Voltaje Velocidad Aplicaciones objetivo
Paralelo nvSRAM 256 Kb -
16 Mb		 Paralelo
(x8, x16, x32)		 E/S de 3.0 V, doble 3.0 V y 1.8 V Hasta 20 ns Automatización industrial y accionamientos, redes, juegos de casino Máquina
Serie nvSRAM 64 Kb -
1 Mb		 I²C, SPI, QSPI E/S de 3.0 V, 5.0 V, doble 3.0 V y 1.8 V Hasta 104 MHz Redes, vigilancia, fábricas inteligentes, centros de datos arranque y almacenamiento seguros, transiciones seguras de extremo a extremo

SRAM

La SRAM (memoria RAM estática) es una memoria de acceso aleatorio independiente que permite a los diseñadores agregar fácilmente más capacidad de RAM a sus aplicaciones. A diferencia de las DRAM, las SRAM no necesitan actualizarse periódicamente, lo que las hace más rápidas, eficientes energéticamente y fiables para aplicaciones de búfer y memoria en caché. Infineon ofrece la cartera más amplia del sector de SRAM asíncronas y síncronas, junto con un compromiso de suministro estable de productos y asistencia a largo plazo.

La última generación de SRAM de 65-nm de Infineon con ECC (código de corrección de errores) de hardware en chip proporcionan una mejora significativa en el rendimiento de la tasa de error suave (SER), lo que resulta en ≤ 0,1 FIT/Mb.

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Productos SRAM

Características principales

  • La cartera más amplia de SRAM asíncronas y síncronas
  • Bus asíncrono de alto rendimiento con tiempos de acceso de 10 ns
  • Velocidades de hasta 1,066 MHz con SRAM síncronas QDR™-IV
  • Corriente de espera ultrabaja (6.5 µA máx. para 8 Mb)
  • ECC de hardware en chip
  • Compatibilidad con productos SRAM heredados

Beneficios

  • Maximiza la vida útil de las baterías para casos de uso de captura de datos respaldados por batería
  • Aumenta el ancho de banda de memoria para acceso a datos en tiempo real
  • Alcanza una velocidad de transacción aleatoria de hasta 2,132 MT/s (QDR™-IV)
  • Garantiza la fiabilidad de los datos con un rendimiento SER de ≤0.1 FIT/Mb
  • Garantiza el suministro del producto y una longevidad de más de 10 años
SRAM
Familia de productos Densidad Interfaz Voltaje Velocidad Aplicaciones objetivo
SRAM asincrónica MoBL™ 256 Kb -
64 Mb		 Paralelo
(x8, x16, x32)		 1.8 V, 3.0 V, 5.0 V Hasta 45 ns Automatización industrial y accionamientos, redes, máquinas de juegos de casino, máquinas de insulina
SRAM asíncrona rápida 256 Kb -
32 Mb		 Paralelo
(x8, x16, x32)		 1.8 V, 3.0 V, 5.0 V Hasta 10 ns Automatización industrial, redes, servidor empresarial, aeroespacial y defensa
SRAM sincrón. 4 Mb -
144 Mb		 Paralelo
(x18, x36, x72)		 1.3 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V Hasta 2,132 MT/s Redes, procesamiento de imágenes, instrumentación de uso médico, Servidor empresarial, aeroespacial y defensa

pSRAM

Infineon ofrece una completa cartera de memorias RAM pseudoestáticas HYPERRAM™/Octal xSPI (pSRAM) con densidades que van desde 64 Mb a 512 Mb. Con su combinación única de alto ancho de banda e interfaz de bajo número de pines, HYPERRAM™ es ideal para un amplio rango de aplicaciones industriales y automotrices que requieren RAM adicionales para datos de búfer, audio, imágenes, video o como bloc de notas para operaciones matemáticas y de uso intensivo de datos. Estas pSRAM eficientes energéticamente son también la opción ideal de memoria de expansión para consumidores que utilizan batería y dispositivos de vestir.

El HYPERRAM™ de Infineon opera en una interfaz DDR de bajo conteo de señal llamada HYPERBUS™ que logra una tasa de producción de lectura y escritura de alta velocidad por pin de procesador, en comparación con tecnologías de la competencia como las DRAM SDR.

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Productos pSRAM

Características principales

  • Opciones de densidad escalables de 64 Mb a 512 Mb
  • Bus HYPERBUS™ de bajo número de pines o bus octal xSPI
  • Factor de forma compacto de 6 mm x 8 mm
  • Frecuencia de funcionamiento de hasta DDR 200 kHz
  • Modo de reposo híbrido energéticamente eficiente
  • Temperatura de funcionamiento de hasta +125 °C

Beneficios

  • Consigue una tasa de producción de datos de hasta 800 MB/s para búfer de alta velocidad
  • Consume menos pines de procesador que la RAM de expansión rival
  • Ahorra espacio en placa con factor de forma compacto de 48 mm2
  • Se empareja con SoC basados en HYPERBUS™ de un amplio ecosistema de socios de conjunto de chips
  • Garantiza el suministro del producto y una longevidad de más de 10 años
pSRAM
Familia de productos Densidad Interfaz Voltaje Velocidad Aplicaciones objetivo
HYPERRAM™ 2.0 64 Mb - 512 Gb HYPERBUS™
Octal xSPI		 1.8 V, 3.0 V Hasta 400 MB/s Dispositivos de vestir, dispositivos de IoT, pantallas HMI, máquina de visión industrial, clúster de instrumento automotriz
HYPERRAM™ 3.0 256 Mb HYPERBUS™
x16 ext. E/S		 1.8 V Hasta 800 MB/s Cámaras de visión de máquina industrial, dispositivos de IoT, automotriz V2X